Research on integrated circuit system with new nano-materials for real-time big-data processing
实时大数据处理的新型纳米材料集成电路系统研究
基本信息
- 批准号:26289110
- 负责人:
- 金额:$ 10.32万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Reliability Study of Carbon Nanotube Memory after Various Cycling Conditions
碳纳米管存储器在各种循环条件下的可靠性研究
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takashi Inose;Tomoko Ogura Iwasaki;Sheyang Ning;Darlene Viviani;Monte Manning;X. M. Henry Huang;Thomas Rueckes and Ken Takeuchi
- 通讯作者:Thomas Rueckes and Ken Takeuchi
ReRAM for Storage Class Memory Application from Memory Architecture Perspective
从内存架构角度看ReRAM用于存储级内存应用
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:菊池 主馬;大音隆夫;岡本 晃一;岸野克己;Ken Takeuchi
- 通讯作者:Ken Takeuchi
0.6-1.0 V Operation Set/Reset Voltage (3V) Generator for 3D-integrated ReRAM and NAND flash Hybrid Solid-State Drive
用于 3D 集成 ReRAM 和 NAND 闪存混合固态驱动器的 0.6-1.0 V 操作设置/复位电压 (3V) 发生器
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Masahiro Tanaka;Shogo Hachiya;Tomoya Ishii;Sheyang Ning;Kota Tsurumi and Ken Takeuchi
- 通讯作者:Kota Tsurumi and Ken Takeuchi
NAND型フラッシュメモリとReRAMで構成されるハイブリッドSSD向け低電力動作可能な昇圧回路
能够实现由 NAND 闪存和 ReRAM 组成的混合 SSD 低功耗运行的升压电路
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:鈴木健太;鶴見洸太,竹内健
- 通讯作者:鶴見洸太,竹内健
A 1.0 V Operation, 65% Faster Set/Reset Voltage (3V) Generator for 3D-integrated ReRAM and NAND flash Hybrid Solid-State Drive
A%201.0%20V%20操作,%2065%%20更快%20设置/重置%20电压%20(3V)%20发电机%20for%203D-集成%20ReRAM%20和%20NAND%20flash%20Hybrid%20Solid-State%20Drive
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Masahiro Tanaka;Shogo Hachiya;Tomoya Ishii;Sheyang Ning and Ken Takeuchi
- 通讯作者:Sheyang Ning and Ken Takeuchi
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- 批准号:
25420717 - 财政年份:2013
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$ 10.32万 - 项目类别:
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- 批准号:
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