Research on integrated circuit system with new nano-materials for real-time big-data processing

实时大数据处理的新型纳米材料集成电路系统研究

基本信息

  • 批准号:
    26289110
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.32万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Reliability Study of Carbon Nanotube Memory after Various Cycling Conditions
碳纳米管存储器在各种循环条件下的可靠性研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takashi Inose;Tomoko Ogura Iwasaki;Sheyang Ning;Darlene Viviani;Monte Manning;X. M. Henry Huang;Thomas Rueckes and Ken Takeuchi
  • 通讯作者:
    Thomas Rueckes and Ken Takeuchi
ReRAM for Storage Class Memory Application from Memory Architecture Perspective
从内存架构角度看ReRAM用于存储级内存应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    菊池 主馬;大音隆夫;岡本 晃一;岸野克己;Ken Takeuchi
  • 通讯作者:
    Ken Takeuchi
0.6-1.0 V Operation Set/Reset Voltage (3V) Generator for 3D-integrated ReRAM and NAND flash Hybrid Solid-State Drive
用于 3D 集成 ReRAM 和 NAND 闪存混合固态驱动器的 0.6-1.0 V 操作设置/复位电压 (3V) 发生器
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Masahiro Tanaka;Shogo Hachiya;Tomoya Ishii;Sheyang Ning;Kota Tsurumi and Ken Takeuchi
  • 通讯作者:
    Kota Tsurumi and Ken Takeuchi
NAND型フラッシュメモリとReRAMで構成されるハイブリッドSSD向け低電力動作可能な昇圧回路
能够实现由 NAND 闪存和 ReRAM 组成的混合 SSD 低功耗运行的升压电路
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    鈴木健太;鶴見洸太,竹内健
  • 通讯作者:
    鶴見洸太,竹内健
A 1.0 V Operation, 65% Faster Set/Reset Voltage (3V) Generator for 3D-integrated ReRAM and NAND flash Hybrid Solid-State Drive
A%201.0%20V%20操作,%2065%%20更快%20设置/重置%20电压%20(3V)%20发电机%20for%203D-集成%20ReRAM%20和%20NAND%20flash%20Hybrid%20Solid-State%20Drive
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masahiro Tanaka;Shogo Hachiya;Tomoya Ishii;Sheyang Ning and Ken Takeuchi
  • 通讯作者:
    Sheyang Ning and Ken Takeuchi
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Takeuchi Ken其他文献

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  • 项目类别:
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    2023
  • 资助金额:
    $ 10.32万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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