Realization of quantum spin Hall effect in electron-hole composite quantum wells
电子空穴复合量子阱中量子自旋霍尔效应的实现
基本信息
- 批准号：26287068
- 负责人：
- 金额：$ 11.56万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
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会议论文数量（0）
专利数量（0）
InAs/InxGa1-xSb２次元トポロジカル絶縁体における歪みエンジニアリングによるバンドギャップの増大
通过应变工程增加 InAs/InxGa1-xSb 二维拓扑绝缘体的带隙
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：秋保貴史，入江宏， F. Couedo，鈴木恭一，小野満恒二， 村木康二
- 通讯作者：秋保貴史，入江宏， F. Couedo，鈴木恭一，小野満恒二， 村木康二
Edge magnetoplasmons in InAs quantum wells investigated by time-domain measurements
通过时域测量研究 InAs 量子阱中的边缘磁等离子体
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：太田剛;熊田倫雄;鈴木恭一;小野満恒二;村木康二
- 通讯作者：村木康二
III-V 族半導体へテロ構造による２次元トポロジカル絶縁体の実現
利用III-V族半导体异质结构实现二维拓扑绝缘体
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：児玉俊之;冨田知志;澤田桂;細糸信好;柳久雄;鈴木恭一
- 通讯作者：鈴木恭一
Local electrostatic gating in InAs/GaSb quantum wells
InAs/GaSb 量子阱中的局部静电门控
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：F. Couëdo;H. Irie;T. Akiho;K. Suzuki;K. Onomitsu;K. Muraki
- 通讯作者：K. Muraki
Creating a Topological Insulator Using Semiconductor Heterostructures
使用半导体异质结构创建拓扑绝缘体
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：鈴木恭一;小野満恒二
- 通讯作者：小野満恒二
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23K13616 - 财政年份：2023
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$ 11.56万 - 项目类别：
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- 资助金额：
$ 11.56万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
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