Investigations of the strain effects on the mobility of 10-nm Si transistors by in situ TEM

通过原位 TEM 研究应变对 10 nm Si 晶体管迁移率的影响

基本信息

批准号：
25820336
负责人：
Tang Dai-Ming
金额：
$ 2.58万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25820336/
关键词：
electron microscopy nanowire transitors mechanical properties electrical properties silicon nanowire transistors strain engineering carbon nanotubes vacuum triodes in situ in situ microscopy silicon nanowires

项目摘要

项目成果

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会议论文数量（0）

专利数量（0）

Amorphization and directional crystallization in carbon nanotubes

碳纳米管的非晶化和定向结晶

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Dai-Ming Tang;Cui-Lan Ren;Yoshio Bando;Masanori Mitome;Chang Liu;Hui-Ming Cheng;Dmitri Golberg
通讯作者：
Dmitri Golberg

Growth of Large-Scale Boron Nanowire Patterns with Identical Base-Up Mode and In Situ Field Emission Studies of Individual Boron Nanowire

DOI：
10.1002/smll.201301948
发表时间：
2014-02-01
期刊：
SMALL
影响因子：
13.3
作者：
Liu, Fei;Gan, Haibo;Bando, Yoshio
通讯作者：
Bando, Yoshio

TEM and CL analysis of Si-doped AlN powders

Si 掺杂 AlN 粉末的 TEM 和 CL 分析

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
CHOYujin;湯代明;BenjaminDIERRE;高橋向星;廣崎尚登;関口隆史
通讯作者：
関口隆史

High-throughput fabrication of strutted graphene by ammonium-assisted chemical blowing for high-performance supercapacitors

DOI：
10.1016/j.nanoen.2015.06.008
发表时间：
2015-09-01
期刊：
NANO ENERGY
影响因子：
17.6
作者：
Jiang, Xiang-Fen;Wang, Xue-Bin;Golberg, Dmitri
通讯作者：
Golberg, Dmitri

Atomistic Origins of High Rate Capability and Capacity of N-Doped Graphene for Lithium Storage

DOI：
10.1021/nl4038592
发表时间：
2014-03-01
期刊：
NANO LETTERS
影响因子：
10.8
作者：
Wang, Xi;Weng, Qunhong;Golberg, Dmitri
通讯作者：
Golberg, Dmitri

DOI：
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作者：
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通讯作者：
松永大樹，藤田凌嘉，由岡遼，出口真次

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发表时间：
2022
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作者：
Wang Yang;Qiu Lu;Zhang Lili;Tang Dai-Ming;Ma Ruixue;Ren Cui-Lan;Ding Feng;Liu Chang;Cheng Hui-Ming;副島哲朗，高橋怜希，米田佳斐，上田啓夢;水口拓也・伊丹嘉志・山神将大・高口　豊・田嶋智之
通讯作者：
水口拓也・伊丹嘉志・山神将大・高口　豊・田嶋智之

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