Development of frontier for growth of large single crystal diamond wafers to realize energy saving power electronic devices
开发大尺寸单晶金刚石晶片生长前沿，实现电力电子器件节能
基本信息
- 批准号：25820129
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Dielectric properties of single crystalline diamond wafers with large area at microwave wavelengths
- DOI：10.1016/j.diamond.2015.05.004
- 发表时间：2015-09
- 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：H. Yamada;A. Meier;F. Mazzocchi;S. Schreck;T. Scherer
- 通讯作者：H. Yamada;A. Meier;F. Mazzocchi;S. Schreck;T. Scherer
Numerical microwave plasma discharge study for the growth of large single-crystal diamond
大单晶金刚石生长的微波等离子体放电数值研究
- DOI：10.1016/j.diamond.2014.11.005
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：山田 英明;茶谷原 昭義;杢野 由明;鹿田 真一
- 通讯作者：鹿田 真一
Progress and current status of single crystal diamond wafers for high power electronics
高功率电子用单晶金刚石晶片的进展及现状
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yukako Kato;Hitoshi Umezawa;Shin-ichi Shikata;山田英明
- 通讯作者：山田英明
Unintentional tungsten incorporation in diamond during hot-filament chemical vapor deposition
热丝化学气相沉积过程中钨无意掺入金刚石中
- DOI：10.14723/tmrsj.40.47
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：大曲 新矢;Srimongkon Kridsanapan;Vittaya Amornkitbamrung;山田 英明;茶谷原 昭義;鹿田 真一
- 通讯作者：鹿田 真一
Effects of crystallographic orientation on the homoepitaxial overgrowth on tiled single crystal diamond clones
晶体取向对平铺单晶金刚石克隆同质外延过度生长的影响
- DOI：10.1016/j.diamond.2015.01.007
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：山田 英明;茶谷原 昭義;杢野 由明;加藤 有香子;鹿田 真一
- 通讯作者：鹿田 真一
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