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Development of low-power consumption memory transistors with ferroelectric coordination polymers
铁电配位聚合物低功耗存储晶体管的开发
基本信息
- 批准号：25410077
- 负责人：
- 金额：$ 3.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Synthesis, Crystal Structure, and Electroconducting Properties of a 1D Mixed-Valence Cu(I)–Cu(II) Coordination Polymer with a Dicyclohexyl Dithiocarbamate Ligand
- DOI：10.3390/cryst5020215
- 发表时间：2015-04
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Nakatani;Kento Himoto;Y. Kono;Y. Nakahashi;Haruho Anma;T. Okubo;M. Maekawa;T. Kuroda–Sowa
- 通讯作者：K. Nakatani;Kento Himoto;Y. Kono;Y. Nakahashi;Haruho Anma;T. Okubo;M. Maekawa;T. Kuroda–Sowa
Development of Semiconducting Coordination Polymers for Thin-Film Solar Cells
薄膜太阳能电池用半导体配位聚合物的开发
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takashi Okubo;Nakatani Kenji;Himoto Kento;Maekawa Masahiko;Kuroda-Sowa Takayoshi
- 通讯作者：Kuroda-Sowa Takayoshi
アルキルチオ基を導入したHATNA誘導体を用いた配位高分子の合成と物性評価
引入烷硫基的HATNA衍生物配位聚合物的合成及物性评价
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：武田和樹;中谷研二;大久保貴志;前川雅彦;黒田孝義
- 通讯作者：黒田孝義
Structures and Magnetic Properties of Novel M(II) Triangular Tri-Nuclear Complexes with an S-Shaped Hexadentate Ligand Derived From Phenazine
吩嗪衍生的 S 形六齿配体新型 M(II) 三角形三核配合物的结构和磁性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takayoshi Kuroda-Sowa;Ryotaro Yamaguchi;Kunihisa Sugimoto;Takashi Okubo;Masahiko Maekawa
- 通讯作者：Masahiko Maekawa
New Mixed-Valence Coordination Polymers with Dithiocarbamate Ligands: Crystal Structure, Magnetic and Conductive Properties, and Application in Solar Cells
具有二硫代氨基甲酸酯配体的新型混合价配位聚合物：晶体结构、磁性和导电性能以及在太阳能电池中的应用
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takashi Okubo;Shimpei Suzuki;Hideyuki Tanaka;Kenji Nakatani;Kyung Ho Kim;Masahiko Maekawa and Takayoshi Kuroda-Sowa
- 通讯作者：Masahiko Maekawa and Takayoshi Kuroda-Sowa
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Synthesis of Coordination Polymers with High Carrier Mobilities and Application to Field Effect Transistors
高载流子迁移率配位聚合物的合成及其在场效应晶体管中的应用
- 批准号：
23750066 - 财政年份：2011
- 资助金额：
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玻璃基板上采用 NC 技术的 4T LT 多晶硅 TFT，适用于低成本物联网设备
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- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
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利用铁电栅极绝缘膜的低功耗高迁移率超高性能薄膜晶体管的研究
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- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
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- 批准号：
18H01489 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 3.41万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)