Fabrication of Artificial Ferroelectric Domain-Walls using Bicrystal method

使用双晶法制造人造铁电畴壁

基本信息

批准号：
24686073
负责人：
NAKAMURA Atsutomo
金额：
$ 17.72万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2014-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

Ferroelectric is widely used for industry as a FeRAM, optical filters, piezoelectric devices and various sensors. A boundary between neighboring domains, namely, "domain-wall" has strong influences on the properties of ferroelectric. However, structure and functions of the domain-walls are not well understood due to the difficulty of characterization of domain-walls. In this study, we successfully fabricated artificial domain-walls using a bicrystal experiment. As a result, the structure and property of the ferroelectric domain-walls have been well characterized by scanning transmission electron microscopy and electric measurement systems.

铁电材料广泛应用于工业领域，如 FeRAM、光学滤波器、压电器件和各种传感器。相邻磁畴之间的边界，即“磁畴壁”，对铁电体的性能有很大影响。然而，由于畴壁表征的困难，人们对畴壁的结构和功能还没有很好的理解。在这项研究中，我们利用双晶实验成功地制造了人造畴壁。因此，铁电畴壁的结构和性能已通过扫描透射电子显微镜和电测量系统得到了很好的表征。

项目成果

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专著数量（0）

科研奖励数量（0）

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专利数量（0）

双結晶実験による強誘電体ドメインウォールの創製

通过双晶实验创建铁电畴壁

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
中村篤智;栃木栄太;佐藤幸生;松永克志;溝口照康;幾原雄一;柴田直哉
通讯作者：
柴田直哉

強誘電体における反転ドメインウォールの電気伝導特性

铁电体中倒置畴壁的导电特性

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
原田俊太，山本祐治，肖世玉，堀尾篤史;田川美穂，宇治原徹;Kosuke Matsubara;Kosuke Matsubara;中村篤智,栃木栄太,佐藤幸生,溝口照康,幾原雄一,柴田直哉,豊浦和明,松永克志
通讯作者：
中村篤智,栃木栄太,佐藤幸生,溝口照康,幾原雄一,柴田直哉,豊浦和明,松永克志

ニオブ酸リチウム双結晶における接合界面の電気的特性

铌酸锂双晶键合界面的电学性质

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Daisuke Ishii;Hiroko Horiguchi;Yuji Hirai;Hiroshi Yabu;Yasutaka Matsuo;Kuniharu Ijiro;Kaoru Tsujii;Tateo Shimozawa;Takahiko Hariyama & Masatsugu Shimomura;中村篤智,佐藤幸生,栃木栄太,溝口照康,柴田直哉,幾原雄一,松永克志
通讯作者：
中村篤智,佐藤幸生,栃木栄太,溝口照康,柴田直哉,幾原雄一,松永克志

強誘電体双結晶を用いた人工的ドメインウォールの作製

使用铁电双晶制造人工畴壁