Realization of quantum well structure in bulk thermoelectric semiconductor by control of the formation of stacking fault in SiC
通过控制SiC中堆垛层错的形成实现体热电半导体中的量子阱结构
基本信息
- 批准号：24686078
- 负责人：
- 金额：$ 16.64万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Defect evolution in high-qualit 4H-SiC grown by solution method
溶液法生长的高质量 4H-SiC 中的缺陷演变
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Harada;M. Tagawa;T. Ujihara
- 通讯作者：T. Ujihara
Correlation between Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion in Solution Growth of SiC
SiC固溶生长中表面形貌与螺纹位错转换的相关性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Harada S.Y. Xiao;N. Hara;D. Koike;T. Mutoh;M. Tagawa;T. Ujihara
- 通讯作者：T. Ujihara
Reduction of Threading Screw Dislocation Utilizing Defect Conversion during Solution Growth of 4HSiC
利用 4HSiC 溶液生长过程中的缺陷转化来减少螺纹螺位错
- DOI：10.4028/www.scientific.net/msf.740-742.189
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S.Harada;Y.Yamamoto;K.Seki;T.Ujihara
- 通讯作者：T.Ujihara
Dislocation conversion during SiC solution growth for high-quality crystal
高品质晶体 SiC 溶液生长过程中的位错转换
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Harada;Y. Yamamoto;S. Xiao;N. Hara;D. Koike;T. Mutoh;M. Tagawa;T. Sakai;T. Ujihara
- 通讯作者：T. Ujihara
Control of Dislocation Conversion during Solution Growth by Changing Surface Step Structure
通过改变表面台阶结构控制固溶生长过程中的位错转换
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S.Harada;Y.Yamamoto;S.Xiao;A.Horio;M.Tagawa;T.Ujihara
- 通讯作者：T.Ujihara
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