Developing of laser cutting and simultaneous removing of heat affected layer method of silicon, sapphile and SiC

硅、蓝宝石、SiC激光切割同时去除热影响层方法的开发

基本信息

  • 批准号：
    24760100
  • 负责人：
    HOSONO Takashi
  • 金额：
    $ 2.91万
  • 依托单位：
    Shinshu University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份：
    2012
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2012-04-01 至 2014-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

Laser grooving was performed in this study, aiming for its application to semiconductor-die cutting. Analysis of grooves formed on silicon revealed that processing in liquid etchants is more effective for reducing the heat affected layer on the grooves than processing in air or pure water. Besides, using a high-repetition-rate and low-peak-power laser, lower groove width was achieved than a low-repetition-rate and high-peak-power laser; however, excess repetition-rate caused unintended etching around the grooves. Though, such unintended etching could be suppressed by circulating the liquid etchant. In addition to above facts about silicon, it is found that 4H-SiC can be removed effectively by processing in liquid containing strong oxidant.
在这项研究中进行了激光凹槽，目的是将其应用于半导体-DIE切割。对硅在硅上形成的凹槽的分析表明，液体蚀刻剂中的加工比在空气或纯水中的加工比在凹槽上的热量层更有效。此外，使用高更改速率和低峰值激光器，比低重复率和高峰值激光器获得了较低的凹槽宽度。但是，过量的重复率导致凹槽周围的意外蚀刻。但是，这种意外的蚀刻可以通过循环液体蚀刻来抑制。除了上述有关硅的事实外，还发现可以通过在含有强氧化剂的液体中加工4H-SIC有效去除。

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
パルスYAGレーザによるエッチング液中でのシリコンの穴加工の高速化
使用脉冲 YAG 激光在蚀刻溶液中加速硅钻孔
  • DOI：
  • 发表时间：
    2012
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Mitsuhiro Horade;Yoko Mizuta;Noritada Kaji;Tetsuya Higashiyama;and Hideyuki Arata;大瀨良海人，細野高史;細野高史，東川千夏，金原正佳，榊和彦
  • 通讯作者：
    細野高史，東川千夏，金原正佳，榊和彦
Debris-free laser drilling and grooving of single-crystalline silicon using liquid etchant and optical fibers
使用液体蚀刻剂和光纤对单晶硅进行无碎片激光钻孔和开槽
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takashi HOSONO;Kazuhiko SAKAKI
  • 通讯作者：
    Kazuhiko SAKAKI
液中におけるSiCのレーザ加工
液体中 SiC 激光加工
  • DOI：
  • 发表时间：
    2014
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    細野高史;梅田雪麿;榊和彦
  • 通讯作者：
    榊和彦
エッチング液中でのシリコンのレーザ深溝加工の試み
蚀刻液中硅激光深槽加工的尝试
  • DOI：
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Mitsuhiro Horade;Yoko Mizuta;Noritada Kaji;Tetsuya Higashiyama;and Hideyuki Arata;大瀨良海人，細野高史
  • 通讯作者：
    大瀨良海人，細野高史
エッチング液中での単結晶シリコンのレーザ深溝加工
蚀刻液中单晶硅激光深槽加工
  • DOI：
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    洞出光洋;小嶋勝,神山和人,プワナンチュムトン,前泰志,新井健生;細野高史，大瀬良海人，宮澤大樹，榊和彦
  • 通讯作者：
    細野高史，大瀬良海人，宮澤大樹，榊和彦
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    $ 2.91万
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