Development of monolithically integrated high-sensitive SOI photodiode
单片集成高灵敏度SOI光电二极管的开发
基本信息
- 批准号:24560401
- 负责人:
- 金额:$ 3.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2012
- 资助国家:日本
- 起止时间:2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Sensitivity Enhancement of SOI Photodiode with Randomly Arranged Au Nanoparticles
随机排列的金纳米粒子提高 SOI 光电二极管的灵敏度
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Atsushi Ono;Yasushi Enomoto;Yasufumi Matsumura;Hiroaki Satoh;and Hiroshi Inokawa
- 通讯作者:and Hiroshi Inokawa
金ナノ粒子高密度配列による高感度SOIフォトダイオードの開発
使用高密度金纳米颗粒阵列开发高灵敏度 SOI 光电二极管
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:小野篤史;榎本靖;松村康史;佐藤弘明;猪川洋
- 通讯作者:猪川洋
Plasmonics for enhanced performance of SOI photodiode
用于增强 SOI 光电二极管性能的等离子体激元
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Atsushi Ono;Hiroaki Satoh;and Hiroshi Inokawa
- 通讯作者:and Hiroshi Inokawa
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