Development of monolithically integrated high-sensitive SOI photodiode

单片集成高灵敏度SOI光电二极管的开发

基本信息

  • 批准号:
    24560401
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2015-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Sensitivity Enhancement of SOI Photodiode with Randomly Arranged Au Nanoparticles
随机排列的金纳米粒子提高 SOI 光电二极管的灵敏度
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Atsushi Ono;Yasushi Enomoto;Yasufumi Matsumura;Hiroaki Satoh;and Hiroshi Inokawa
  • 通讯作者:
    and Hiroshi Inokawa
フォトダイオード及びその製造方法
光电二极管及其制造方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
金ナノ粒子高密度配列による高感度SOIフォトダイオードの開発
使用高密度金纳米颗粒阵列开发高灵敏度 SOI 光电二极管
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小野篤史;榎本靖;松村康史;佐藤弘明;猪川洋
  • 通讯作者:
    猪川洋
Plasmonics for enhanced performance of SOI photodiode
用于增强 SOI 光电二极管性能的等离子体激元
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Atsushi Ono;Hiroaki Satoh;and Hiroshi Inokawa
  • 通讯作者:
    and Hiroshi Inokawa
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    $ 3.41万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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