Fundamental Circuit Theories for Memristors and Resistive RAMs
忆阻器和电阻 RAM 的基本电路理论
基本信息
- 批准号：24360145
- 负责人：
- 金额：$ 11.98万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
A Memristor ---the Fourth Fundamental Circuit Element--- and its Application to Unconventional Computation
忆阻器——第四种基本电路元件——及其在非常规计算中的应用
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R Jain;D. Tanaka;H. Tsuda;M. Kuwahara;X. Wang;and H. Kawashima;Asai T.
- 通讯作者：Asai T.
Reaction-diffusion media with excitable Oregonators coupled by memristors (Memristor Networks)
具有由忆阻器耦合的可兴奋 Oregonators 的反应扩散介质 (Memristor Networks)
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Asai T. (Adamatzky A. and Chua L.;Eds.)
- 通讯作者：Eds.)
Asynchronous digital circuits based on stochastic resonance for coarse-graind/low-voltage devices
用于粗粒度/低压器件的基于随机谐振的异步数字电路
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Junya Odori;Takemasa Yoshida;Keisuke Sorimoto;Hisao Iitsuka;Hitoshi Kawashima;and Hiroyuki Tsuda;堀川隼世;Gonzalez-Carabarin L. and Asai T.
- 通讯作者：Gonzalez-Carabarin L. and Asai T.
Memristor Netrowks (Reaction-diffusion media with excitable Oregonators coupled by memristors)
Memristor Netrowks（具有由忆阻器耦合的可兴奋 Oregonators 的反应扩散介质）
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Asai T. (Adamatzky A. and Chua L.;Eds.)
- 通讯作者：Eds.)
Explorations in Morphic Architectures (Emerging Nanoelectronic Devices)
形态架构探索（新兴纳米电子器件）
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Asai T. and Peper F. (Chen A.;Hutchby J.;ZhirnovV;and Bourianoff G.;Eds.)
- 通讯作者：Eds.)
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ASAI TETSUYA其他文献
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