INTEGRATION OF FERROMAGNETIC SINGLE-ELECTRON TRANSISTORS USING ELECTROMIGRATION METHODS
使用电迁移方法集成铁磁单电子晶体管
基本信息
- 批准号：24360117
- 负责人：
- 金额：$ 12.06万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Ballistic hot electron effects in nanosilicon dots and their photonic applications (Invited)
纳米硅点的弹道热电子效应及其光子应用（特邀）
- DOI：10.1149/06105.0047ecst
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：N. Koshida;N. Ikegami;A. Kojima;R. Mentek;R. Suda;M. Yagi;J. Shirakashi;B. Gelloz;and N. Mori
- 通讯作者：and N. Mori
In-Situ Control of Quantum Point Contacts Using Scanning Probe Microscopy Scratch Lithography
使用扫描探针显微镜划痕光刻对量子点接触进行原位控制
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R. Suda;T. Ohyama;A. A. Tseng and J. Shirakashi
- 通讯作者：A. A. Tseng and J. Shirakashi
A Fully Customized Hardware System for Ultra-Fast Feedback-Controlled Electromigration Using FPGA
使用 FPGA 实现超快反馈控制电迁移的完全定制硬件系统
- DOI：10.1109/nano.2014.6968058
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Kanamaru;M. Ando;R. Suda and J. Shirakashi
- 通讯作者：R. Suda and J. Shirakashi
Tuning of Resistance of Nanogaps Using Field-Emission-Induced Electromigration with Feedback Control Scheme
使用场发射感应电迁移和反馈控制方案调节纳米间隙的电阻
- DOI：10.1109/nano.2013.6721060
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Ando;S. Akimoto;R. Suda and J. Shirakashi
- 通讯作者：R. Suda and J. Shirakashi
Control Parameters for Fabrication of Single-Electron Transistors Using Field-Emission-Induced Electromigration
使用场发射感应电迁移制造单电子晶体管的控制参数
- DOI：10.1166/jnn.2013.6073
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. Akimoto;M. Ito;S. Ueno and J. Shirakashi
- 通讯作者：S. Ueno and J. Shirakashi
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SHIRAKASHI JUN-ICHI其他文献
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