Ultrafast wavelength conversion device by semiconductor multilayer coupled cavity with quantum dots

量子点半导体多层耦合腔超快波长转换器件

• 批准号: 24360028
• 负责人: Isu Toshiro
• 金额: $ 12.06万
• 依托单位: The University of Tokushima
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24360028/
• 关键词: 量子ドット; 微小共振器; 超高速光スイッチ; 非線形光学応答; キャリア緩和; MBE,エピタキシャル成長; 化合物半導体多層膜; 波長変換; 超高速全光スイッチ; 微笑共振器

项目成果

InAs 量子ドットを有するGaAs/AlAs 多層膜三結合共振器の四光波混合信号測定

InAs量子点GaAs/AlAs多层三耦合谐振器的四波混频信号测量

• 发表时间: 2014
• 作者: 西川淳;大矢正人，堀江正明，佐藤克磨，深瀬雅央，村上尚史，小谷隆行，熊谷紫麻見，田村元秀，田中洋介，黒川隆志;大柄根斉宣，安長千徳，中河義典，森田健，北田貴弘，井須俊郎
• 通讯作者: 大柄根斉宣，安長千徳，中河義典，森田健，北田貴弘，井須俊郎

(001)と(113)B GaAs 基板上に成長したInAs 量子ドットに対するSb 照射の効果

Sb 辐照对 (001) 和 (113)B GaAs 衬底上生长的 InAs 量子点的影响

• 发表时间: 2015
• 作者: Yamamoto;K.;Matsuo;T.;Shibai;H.;et al. (No. 34 of 56 authors);盧翔孟，熊谷直人，北田貴弘，井須俊郎
• 通讯作者: 盧翔孟，熊谷直人，北田貴弘，井須俊郎

GaAa/AlAs multilayer cavity with Er-doped InAs quantum dots embedded in extremely thin strain-relaxed InGaAs barriers for ultrafast all-optical switches

GaAa/AlAs 多层腔，具有嵌入极薄应变松弛 InGaAs 势垒中的掺铒 InAs 量子点，用于超快全光开关

• DOI: 10.7567/jjap.52.04cg04
• 发表时间: 2013
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Morita K.;et al.
• 通讯作者: et al.

半導体多層膜結合共振器構造の非線形光学応答とそのデバイス応用

半导体多层耦合谐振器结构的非线性光学响应及其器件应用

• 发表时间: 2013
• 作者: Ryosuke Fukushima;Toshio Miyamoto;Takanori Iino;Yoichiroh Hosokawa;玉田大輝，仲村高志，巨瀬勝美;西川淳;井須俊郎，北田貴弘，森田健，盧翔孟，中河義典
• 通讯作者: 井須俊郎，北田貴弘，森田健，盧翔孟，中河義典

Four-wave mixing in GaAs/AlAs triple-coupled cavity with InAs quantum dots

带 InAs 量子点的 GaAs/AlAs 三耦合腔中的四波混频

• DOI: 10.7567/jjap.54.04dg05
• 发表时间: 2015
• 期刊: Japanese Journal of Applied Physics
• 影响因子: 1.5
• 作者: Masanori Ogarane;Yukinori Yasunaga;Yoshinori Nakagawa;Ken Morita;Takahiro Kitada and Toshiro Isu
• 通讯作者: Takahiro Kitada and Toshiro Isu