Coherent growth of high-quality group-III nitirides on SiC substrates and its device applications

SiC衬底上高质量III族氮化物的共格生长及其器件应用

基本信息

批准号：
24360009
负责人：
Suda Jun
金额：
$ 11.9万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2016-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

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会议论文数量（0）

专利数量（0）

SiC(0001)基板上に成長した大きな圧縮歪みを内包するAlN薄膜の光学特性および格子振動数評価

SiC(0001)衬底上大压应变AlN薄膜的光学性能和晶格频率评估

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
金子光顕;奥村宏典;石井良太;船戸充;川上養一;木本恒暢;須田淳
通讯作者：
須田淳

4H-SiC MISFETs With 4H-AlN Gate Insulator Isopolytypically Grown on 4H-SiC (1120)

具有在 4H-SiC 上同聚生长的 4H-AlN 栅极绝缘体的 4H-SiC MISFET (1120)

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
堀田昌宏;登尾正人;木本恒暢;須田淳
通讯作者：
須田淳

Observation of lateral satellite peaks in nitride semiconductor: HRXRD study of AlN layer grown on step-height-controlled SiC substrate

氮化物半导体中横向卫星峰的观察：在阶梯高度控制的 SiC 衬底上生长的 AlN 层的 HRXRD 研究

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Mitsuaki Kaneko;Tsunenobu Kimoto;and Jun Suda
通讯作者：
and Jun Suda

Strain controls in AlN layer by ultra-thin GaN interlayer grown on high-quality AlN template coherently grown on SiC(0001) by PAMBE

通过在高质量 AlN 模板上生长的超薄 GaN 中间层控制 AlN 层中的应变，该模板通过 PAMBE 在 SiC(0001) 上相干生长

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
Mitsuaki Kaneko;Tsunenobu Kimoto;and Jun Suda
通讯作者：
and Jun Suda

マクロステップバンチングが起こる条件でガスエッチングしたSiC表面のマクロテラス上に並んだ1 unit cell高さステップの発生機構

在发生宏台阶聚束的条件下，在气蚀 SiC 表面的宏台阶上排列 1 单位晶胞高度台阶的生成机制

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
平井和斗;金子光顕;木本恒暢;須田淳
通讯作者：
須田淳

DOI：
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作者：
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Suda Jun其他文献

Effect of Ultra‐High‐Pressure Annealing on Defect Reactions in Ion‐Implanted GaN Studied by Positron Annihilation

通过正电子湮灭研究超高压退火对离子注入GaN缺陷反应的影响

DOI：
10.1002/pssb.202200183
发表时间：
2022
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
0
作者：
Uedono Akira;Sakurai Hideki;Uzuhashi Jun;Narita Tetsuo;Sierakowski Kacper;Ishibashi Shoji;Chichibu Shigefusa F.;Bockowski Michal;Suda Jun;Ohkubo Tadakatsu;Ikarashi Nobuyuki;Hono Kazuhiro;Kachi Tetsu
通讯作者：
Kachi Tetsu

Fabrication of ultrahigh-voltage SiC PiN diodes with low-on resistance

低导通电阻超高压 SiC PiN 二极管的制作

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kaji Naoki;Niwa Hiroki;Suda Jun;Kimoto Tsunenobu
通讯作者：
Kimoto Tsunenobu

Non-Archimedean SYZ Picture for degenerations of Kummer Surfaces

Kummer 曲面退化的非阿基米德 SYZ 图片

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Ito Koji;Horita Masahiro;Suda Jun;Kimoto Tsunenobu;Keita Goto
通讯作者：
Keita Goto

Atomic resolution analysis of extended defects and Mg agglomeration in Mg-ion-implanted GaN and their impacts on acceptor formation

镁离子注入 GaN 中扩展缺陷和镁团聚的原子分辨率分析及其对受主形成的影响

DOI：
10.1063/5.0097866
发表时间：
2022
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Kano Emi;Kataoka Keita;Uzuhashi Jun;Chokawa Kenta;Sakurai Hideki;Uedono Akira;Narita Tetsuo;Sierakowski Kacper;Bockowski Michal;Otsuki Ritsuo;Kobayashi Koki;Itoh Yuta;Nagao Masahiro;Ohkubo Tadakatsu;Hono Kazuhiro;Suda Jun;Kachi Tetsu;Ikarashi Nobuyuki
通讯作者：
Ikarashi Nobuyuki

氷の融液成長界面における秩序形成と成長ダイナミクス

冰融生长界面的有序形成和生长动力学

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kano Emi;Kataoka Keita;Uzuhashi Jun;Chokawa Kenta;Sakurai Hideki;Uedono Akira;Narita Tetsuo;Sierakowski Kacper;Bockowski Michal;Otsuki Ritsuo;Kobayashi Koki;Itoh Yuta;Nagao Masahiro;Ohkubo Tadakatsu;Hono Kazuhiro;Suda Jun;Kachi Tetsu;Ikarashi Nobuyuki;村田憲一郎
通讯作者：
村田憲一郎