Rastersondengestützte Untersuchung der elektrochemischen Abscheidung von Element- und Verbindungshalbleitern aus ionischen Flüssigkeiten

扫描探针支持的离子液体电化学沉积元素和化合物半导体的研究

基本信息

  • 批准号:
    5413960
  • 负责人:
  • 金额:
    --
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    德国
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 财政年份:
    2003
  • 资助国家:
    德国
  • 起止时间:
    2002-12-31 至 2011-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

In situ Rastersondenmethoden eignen sich hervorragend für die Analyse elektrochemisch erzeugter Strukturen auf der Nanometerskala. Durch den Einsatz ionischer Flüssigkeiten mit ihren entsprechend weiten elektrochemischen Fenstern gelingt es insbesondere auch, stark unedle Elemente und Verbindungen lokal geordnet abzuscheiden: Hierzu zählen typische Elementhalbleiter (Si, Ge) und Verbindungshalbleiter (GaAs, GaSb, ZnTe) ebenso wie typische Leiter- oder Barrierenelemente (Al, Ti). Ziel dieses Vorhabens ist die Aufklärung der Mechanismen der ortsaufgelösten elektrochemischen Abscheidung von Element- (Si, Ge) und Verbindungshalbleitern (ZnTe, GaSb, GaP) aus Ionischen Flüssigkeiten, d.h. Lösemitteln, die sich durch außerordentlich weite elektrochemische Fenster von mehr als 6 Volt auszeichnen und minimale Dampfdrücke selbst bei erhöhten Temperaturen bis zu 300°C haben. Einige neuere Systeme sind hydrolysestabil und können prinzipiell sogar an Luft gehandhabt werden. Mit dem in situ Rastertunnelmikroskop sollen die Prozesse bei der Abscheidung der Halbleiter auf der Nanometerskala untersucht und die abgeschiedenen Strukturen mithilfe der in situ Tunnelspektroskopie elektronisch charakterisiert werden. Parallel sollen als upscaling Halbleiter in der Volumenphase nanoskaliert elektrochemisch abgeschieden und charakterisiert werden.
原位光栅方法用于分析纳米级的电子化学结构。和实际的大地测量:典型的元素(Si、Ge)和典型的元素(GaAs、GaSb、ZnTe)和典型的阻挡元素(Al、Ti)。 6伏auszeichnen 和 minile Dampfdrücke self bei erhöhten 温度 bis zu 300°C haben。 der Halbleiter auf der Nanometerskala undersucht 和 die abgeschiedenen Strukturen mithilfe der in situ Tunnelspektroskopie elektronisiert werden。

项目成果

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