Reconfigurable Nano-Spin Devices

可重构纳米自旋器件

• 批准号: 18106007
• 负责人: TANAKA MASAAKI
• 金额: $ 64.81万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18106007/
• 关键词: スピンデバイス; スピン; 再構成可能; スピントロニクス・デバイス; MnAs; 微粒子; GaMnAs; 磁性半導体; トンネル磁気抵抗; 不揮発性メモリ; 分子線エピタキシー; スピントランジスタ; ヘテロ構造; 電子デバイス・集積回路; リコンフイギャラブル; スピントラジスタ; スピンMOSFET; 強磁性半導体; スピン起電力; リコンフィギャラブル; 強磁性トンネル接合; トンネル磁気抵抗効果; 共鳴トンネル効果; スピントランジスタを; ナノ

We aimed at the development of basic technologies for reconfigurable nano-scale spin devices that cannot be realized by the conventional semiconductor device technology. We proposed new semiconductor-based device structures with spin-degrees of freedom, and fabricate the reconfigurable devices (in which the device functions can be reprogrammed after fabricating the devices), and demonstrated the device operation principles. We studied the following three types of spin devices.(1) Group-IV-semiconductor based MOSFET planer-type spin devices(2) III-V-semiconductor based heterojunction spin devices(3) Single-electron type spin transistors based on hybrid materials consisting of ferromagnetic nano-particles and semiconductors.

我们的目标是开发传统半导体器件技术无法实现的可重构纳米级自旋器件的基础技术。我们提出了新的具有自旋自由度的基于半导体的器件结构，并制造了可重构器件（其中器件功能可以在制造器件后重新编程），并演示了器件的工作原理。我们研究了以下三种类型的自旋器件。(1)基于IV族半导体的MOSFET平面型自旋器件(2)基于III-V族半导体的异质结自旋器件(3)基于混合材料的单电子型自旋晶体管由铁磁纳米颗粒和半导体组成。

项目成果

論理回路および単電子スピントランジスタ

逻辑电路和单电子自旋晶体管

• 发表时间: 2006

Electromotive force and huge magnetoresistance in magnetic tunnel junctions

磁隧道结中的电动势和巨大磁阻

• 发表时间: 2009
• 作者: Pham Nam Hai; Shinobu Ohya; Masaaki Tanaka; Stewart E.Barnes; Sadamichi Maekawa
• 通讯作者: Sadamichi Maekawa

Quantum-size effect and tunneling magnetoresistance in ferromagnetic- semiconductor quantum heterostructures

铁磁半导体量子异质结构中的量子尺寸效应和隧道磁阻

• 发表时间: 2007
• 作者: S. Ohya; P. N. Hai; Y. Mizuno;M. Tanaka
• 通讯作者: M. Tanaka

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Half‐Metallic Heusler Alloy/GaN Heterostructure for Semiconductor Spintronics Devices

用于半导体自旋电子器件的半金属 Heusler 合金/GaN 异质结构

• DOI: 10.1002/aelm.202300045
• 发表时间: 2023-05-09
• 期刊: Advanced Electronic Materials
• 影响因子: 6.2
• 作者: S. Yamada;Masatoshi Kato;S. Ichikawa;M. Yamada;T. Naito;Y. Fujiwara;K. Hamaya
• 通讯作者: K. Hamaya