Development of a deep-UV light-emitting device by a novel pulsed laser deposition technique

采用新型脉冲激光沉积技术开发深紫外发光器件

• 批准号: 23656444
• 负责人: NAKAMURA Takahiro
• 金额: $ 2.5万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23656444/
• 关键词: 薄膜プロセス; レーザー; パルスレーザー堆積法; 深紫外発光素子; フェムト秒パルスレーザー; 冷凍ターゲット

Fabrication of a high-quality boron nitride film for a deep-UV light-emitting diode by a novel pulsed laser deposition (PLD) technique combining high-intensity laser pulses with frozen target was investigated. A diamond-like carbon (DLC) film with high sp3 content was prepared by PLD using a frozen benzene target by a newly developed film formation system. Based on the results, a preparation technique of a high-quality boron nitride film for development of a deep-UV light-emitting diode was established.

研究了通过将高强度激光脉冲与冷冻靶相结合的新型脉冲激光沉积（PLD）技术来制造用于深紫外发光二极管的高质量氮化硼薄膜。采用新开发的成膜系统，使用冷冻苯靶材，通过 PLD 制备了高 sp3 含量的类金刚石碳 (DLC) 薄膜。基于该结果，建立了用于开发深紫外发光二极管的高质量氮化硼薄膜的制备技术。

项目成果

冷凍ベンゼンをターゲットとして用いたPLD法によるDLC薄膜の作製とレーザーフルエンス依存性

冷冻苯靶材PLD法制备DLC薄膜及激光注量依赖性

• 发表时间: 2011
• 作者: K. Fushimi;Y. Takabatake;T. Nakanishi,Y. Hasegawa;足立吉隆;伏見公志;K. Hirayama;柳澤慧,伏見公志,中西貴之,長谷川靖哉,河野崇史,木村光男;足立吉隆;連川貞弘;高畠勇,伏見公志,中西貴之,長谷川靖哉;武井章生,中村貴宏,佐藤俊一
• 通讯作者: 武井章生,中村貴宏,佐藤俊一

冷凍ベンゼンをターゲットとして用いたPLD法によるa-C:H薄膜の作製

以冷冻苯为靶材的PLD法制备a-C:H薄膜

• 发表时间: 2011
• 作者: 武井章生;中村貴宏;佐藤俊一
• 通讯作者: 佐藤俊一