Fabrication of piezoelectric-field enhanced excitonic devices operating at room-temperature with the use of oxynitride superlattices

使用氮氧化物超晶格制造在室温下工作的压电场增强激子器件

• 批准号: 23760285
• 负责人: ITAGAKI Naho
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Kyushu University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760285/
• 关键词: 薄膜・量子構造; エキシトニクス; 酸窒化物半導体; エキシトニックトランジスタ; ピエゾ電界; スパッタリング; 量子井戸; 酸化物半導体; 結晶成長

Excitonic transistor has attracted much attention because of its potential advantages such as high operation and interconnection speed, small dimensions, and low per consumption. The major challenges for excitonic devices are to increase the operating temperature. Here we have developed a novel semiconductor based on oxynitride and a novel device structure that uses piezoelectric field with the aim to obtain room-temperature operating excitonic devices.

激子晶体管引起了很多关注，因为其潜在的优势，例如高操作和互连速度，小尺寸和低消费。激发设备面临的主要挑战是增加工作温度。在这里，我们开发了一种基于氧气和新型设备结构的新型半导体，该结构使用了压电场，目的是获得室温操作的激子设备。

项目成果

Characterization of the energy flux toward the substrate during magnetron sputter deposition of ZnO thin films

ZnO 薄膜磁控溅射沉积过程中朝向基底的能量通量表征

• DOI: 10.1088/0963-0252/22/2/025019
• 发表时间: 2013
• 期刊: Plasma Sources Sci. Technol.
• 作者: S. Bornholdt;N. Itagaki;K. Kuwahara;H. Wulff;M. Shiratani and H. Kersten (S. Bornholdt)
• 通讯作者: M. Shiratani and H. Kersten (S. Bornholdt)

ZnO:Al薄膜の抵抗率の面内均一性に対する固相結晶化シード層の効果

固相晶种层对ZnO:Al薄膜面内电阻率均匀性的影响

• 发表时间: 2011
• 作者: 板垣奈穂，桑原和成，中原賢太，山下 大輔，鎌滝晋礼;内田儀一郎，古閑一憲，白谷正治
• 通讯作者: 内田儀一郎，古閑一憲，白谷正治

窒素添加結晶化法による高品質酸化亜鉛薄膜の作成とその応用

加氮结晶法制备高品质氧化锌薄膜及其应用

• 发表时间: 2012
• 作者: M. Ohmori;P. Vitushinskiy;and H. Sakaki;板垣奈穂
• 通讯作者: 板垣奈穂

窒素添加結晶化バッファー層による ZnO:Al 薄膜の結晶性制御: 窒素供給量の影響

氮掺杂结晶缓冲层对 ZnO:Al 薄膜结晶度的控制：氮供应量的影响

• 发表时间: 2012
• 作者: W. Badalawa,H.Matsui,T.Osone;N.Hasuike;H. Harima;and H.Tabata;板垣奈穂
• 通讯作者: 板垣奈穂

スパッタ法による C 面サファイア基板上への原子平坦 ZnO 薄膜の作製

溅射法在C面蓝宝石衬底上制备原子级平坦的ZnO薄膜

• 发表时间: 2013
• 作者: J. Kitao;Y. Takahashi;K. Fujiwara;Y. Ishihara;T. Mifune;and T. Iwashita;板垣奈穂
• 通讯作者: 板垣奈穂