Sulfide semiconductors for solar cells based on natural resources

基于自然资源的太阳能电池硫化物半导体

• 批准号: 23760005
• 负责人: GOTOH Tamihiro
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Gunma University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23760005/
• 关键词: 硫化物半導体; 硫化すず; バンドギャップ; 光吸収係数; 太陽電池材料; 硫化プロセス; ゼーベック係数; ギャップ内準位; 半導体薄膜; 硫化

Optical and electrical properties of sulfide semiconductor films for solar cells absorber were investigated. Tin sulfide (SnS) films exhibit optical bandgap of 1.30-1.36 eV for indirect or nondirect transitions, Urbach energy of 0.12-0.14 eV and mid-gap absorption at 0.5-1.2 eV. The mid-gap absorption was reduced to less than 2 % of as-deposited films by thermal annealing up to 400C. These results indicate that heat-induced structural change causes the reduction of gap-states in SnS films.

研究了用于太阳能电池吸收体的硫化物半导体薄膜的光学和电学性能。硫化锡 (SnS) 薄膜的间接或非直接跃迁光学带隙为 1.30-1.36 eV，Urbach 能量为 0.12-0.14 eV，中带隙吸收为 0.5-1.2 eV。 通过高达 400°C 的热退火，中间带隙吸收率降低至沉积薄膜的 2% 以下。这些结果表明热引起的结构变化导致 SnS 薄膜中能隙态的减少。

项目成果

Sub-gap states in In-S films deposited by thermal evaporation

热蒸发沉积的 In-S 薄膜中的亚带隙态

• 发表时间: 2013
• 作者: T. Gotoh;K. Yazawa
• 通讯作者: K. Yazawa

Sub-gap absorption study of amorphous InGaZnO4

非晶InGaZnO4的亚能隙吸收研究

• DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.013
• 发表时间: 2012
• 期刊: Journal of Non-Crystalline Solids
• 影响因子: 3.5
• 作者: Tamihiro Gotoh;Kenji Kaneda
• 通讯作者: Kenji Kaneda

SnS半導体薄膜の作製とギャップ内準位の評価

SnS半导体薄膜的制作及间隙水平评价

• 发表时间: 2012
• 作者: Hathaithip Ninsonti;Weerasak Chomkitichai;Akira Baba;Wiyong Kangwansupamonkon;Sukon Phanichphant;Kazunari Shinbo;Keizo Kato;Futao Kaneko;後藤民浩
• 通讯作者: 後藤民浩

Sub-gap absorption study of SnS films deposited by thermal evaporation of sulfurized Sn powder

硫化Sn粉热蒸发沉积SnS薄膜的亚间隙吸收研究

• DOI: 10.1002/pssc.201200274
• 发表时间: 2012
• 期刊: Phys. Status Solidi C
• 作者: T. Gotoh

直流スパッタ法によるアモルファスInGaZnO_4薄膜の作製と熱処理効果

直流溅射及热处理效应制备非晶InGaZnO_4薄膜

• 发表时间: 2012
• 作者: 金田健児;後藤民浩
• 通讯作者: 後藤民浩