Semiconductor Materials for Infra-Red Region using Band-Gap Bowing.

使用带隙弯曲的红外区域半导体材料。

• 批准号: 23510133
• 负责人: KOSHIBA Shyun
• 金额: $ 3.58万
• 依托单位: Kagawa University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23510133/
• 关键词: ナノ機能材料; エピタキシャル成長; III-V化合物半導体; 窒化物半導体; GaNAs; 室温発光; 化合物半導体; ヘテロ構造; RF-MBE; Nitride; nano structure

We have investigated the electrical and optical properties of p–i–n junction structures in which undoped GaNAs/GaAs multiple quantum wells (MQWs) were sandwiched by p- and n-doped GaAs layers. The samples were formed on the GaAs (001) substrates by plasma assisted molecular beam epitaxy (RF-MBE) using the modulated N radical beam method. We prepared several samples for various GaNAs MQW structures. The result of I-V characterization showed lower threshold voltages of GaNAs/GaAs p-i-n junctions. The photovoltaic effects were also observed under 1 SUN by solar simulator. The conversion efficiency was slightly improved by insertion of the GaNAs/GaAs MQWs, which was confirmed by photo current measurements. The electroluminescence (EL) measurements showed slightly different spectra to those of photoluminescence (PL) and the EL intensities were almost proportional to the applied currents. The room temperature EL measurement revealed strong electron confinement of GaNAs/GaAs MQW.

我们已经研究了P – I – N结构的电气和光学性能，其中未依存的GANAS/GAAS多个量子孔（MQW）用P和N掺杂的GAAS层夹杂在其中。使用调制的N自由基束法在GAAS（001）底物上形成样品（001）底物。我们为各种GANAS MQW结构准备了几个样品。 I-V表征的结果显示GANAS/GAAS P-I-N连接的阈值较低。通过太阳能模拟器，在1个太阳下也观察到光伏效应。通过插入GANAS/GAAS MQWS稍微提高了转化效率，这通过照片电流测量得到了证实。电致发光（EL）的测量值与光致发光（PL）的光谱略有不同，EL强度几乎与施加的电流成正比。室温EL测量结果显示GANAS/GAAS MQW的强烈电子限制。

项目成果

Electroluminescence of GaNAs/GaAs MQWs p-i-n Junctions Grown by RF-MBE using Modulated Nitrogen Radical Beam Source

使用调制氮自由基束源通过 RF-MBE 生长 GaNs/GaAs MQW p-i-n 结的电致发光

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2013.01.034
• 发表时间: 2013
• 期刊: J. Cryst. Growth
• 作者: N. Ohta;K. Arimoto;M. Shiraga;K. Ishii;M. Inada;S. Yanai;Y. Nakai;H. Akiyama;T. Mochizuki;T. Takahashi;N. Takahashi;H. Miyagawa;N. Tsurumachi;S. Nakanishi;and S.Koshiba
• 通讯作者: and S.Koshiba

GaP 基板上におけるGaNAs/AlNAs 超格子の作製

GaP 衬底上 GaNs/AlNAs 超晶格的制备

• 发表时间: 2011
• 作者: 岡本裕美;山本直樹;田村厚夫;小海文夫，日高浩規，井上聖介，内山訓宏，小塩明，高橋裕;矢内 俊輔; 中井 裕子; 伊藤寛; 宮川 勇人; 鶴町 徳昭; 中西 俊介; 高橋 尚志;高橋 敏男; 小柴 俊
• 通讯作者: 矢内 俊輔; 中井 裕子; 伊藤寛; 宮川 勇人; 鶴町 徳昭; 中西 俊介; 高橋 尚志;高橋 敏男; 小柴 俊

InGaNAs 系量子構造の光学特性評価

InGaNAs 基量子结构的光学表征

• 发表时间: 2011
• 作者: 林逸歩;河村芽生;田村厚夫;中森 章絵; 福村 博信; 矢内 俊輔; 白神 昌明; 戎 麻里; 宮川 勇人; 鶴町 徳昭; 中西 俊介; 小柴 俊
• 通讯作者: 中森 章絵; 福村 博信; 矢内 俊輔; 白神 昌明; 戎 麻里; 宮川 勇人; 鶴町 徳昭; 中西 俊介; 小柴 俊

Electrical and Optical Properties of GaNAs/GaAs MQW p-i-n Junctions

GaNs/GaAs MQW p-i-n 结的电学和光学特性

• 发表时间: 2012
• 期刊: Transactions of the Materials Research Society of Japan
• 作者: 藤本隼平;田村厚夫;K. Arimoto; M. Shiraga; H. Shirai; S. Takeda; M. Ohmori; H. Akiyama; T. Mochizuki; K. Yamaguchi; H. Miyagawa; N. Tsurumachi; S. Nakanishi; S. Koshiba
• 通讯作者: K. Arimoto; M. Shiraga; H. Shirai; S. Takeda; M. Ohmori; H. Akiyama; T. Mochizuki; K. Yamaguchi; H. Miyagawa; N. Tsurumachi; S. Nakanishi; S. Koshiba

GaNAs/GaAs MQWs p-i-n junctions grown by RF-MBE using modulated nitrogen radical beam source

使用调制氮自由基束源通过 RF-MBE 生长 GaNs/GaAs MQW p-i-n 结

• 发表时间: 2013
• 期刊: J. Cryst. Growth
• 作者: 中尾みのり;田村厚夫;井上 聖介,日高 浩規,小塩 明,高橋 裕,小海 文夫;N. Ohta; K. Arimoto; M. Shiraga; K. Ishii; M. Inada; S. Yanai; Y. Nakai; H. Akiyama; T. Mochizuki; N. Takahashi; H. Miyagawa; N. Tsurumachi; S. Nakanishi; S. Koshiba
• 通讯作者: N. Ohta; K. Arimoto; M. Shiraga; K. Ishii; M. Inada; S. Yanai; Y. Nakai; H. Akiyama; T. Mochizuki; N. Takahashi; H. Miyagawa; N. Tsurumachi; S. Nakanishi; S. Koshiba