Mechanism of hetero nano-structure formation and electrical properties of relaxor ferroelectric thin films

弛豫铁电薄膜异质纳米结构形成机理及电学性能

• 批准号: 23360283
• 负责人: KIGUCHI Takanori
• 金额: $ 11.98万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23360283/
• 关键词: リラクサー; 極性ナノ領域; 化学的秩序構造; ヘテロナノ組織; 原子変位; HAADF-STEM; TEM; 局所弾性場; PMN; PNR; COR; 電子顕微鏡; 薄膜; CSD法; 強誘電体; 化学的秩序領域; エピタキシャル成長; 歪み場; ドメイン; 構造遷移層

This study examined that the formation behavior of chemically ordered regions (CORs) in Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 (PMN) thin film. CORs nucleated at the crystallization temperature of 650˚C, which was as half as the processing temperature for bulk PMN crystals. The formation of CORs was occurred mainly by nucleation under the post annealing treatments at 700˚C or 800˚C, and they grow by contacting each other. An atomic resolution compositional analysis was attempted to directly detect Mg/Nb atomic arrangements in the PMN lattice. These results show that the nano-structure design of PMN, inhibition of the growth of COR, would improve electrical properties of PMN.

本研究研究了 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 (PMN) 薄膜中化学有序区域 (COR) 的形成行为，COR 在 650°C 的结晶温度下成核，该温度是加工温度的一半。块状PMN晶体的形成主要是在700℃或800℃的后退火处理下通过成核发生的，并且尝试通过原子分辨率成分分析直接检测 PMN 晶格中的 Mg/Nb 原子排列。这些结果表明，PMN 的纳米结构设计可抑制 COR 的生长，从而改善电性能。中性粒细胞网络。

项目成果

Pb(Mg1/3Nb2/3)O3薄膜における秩序構造の原子分解能観察

Pb(Mg1/3Nb2/3)O3薄膜有序结构的原子分辨率观察

• 发表时间: 2014
• 作者: 範 滄宇;木口賢紀;赤間章裕;今野豊彦
• 通讯作者: 今野豊彦

CSD法によるMnドープBiFeO_3薄膜の作成と組織観察

CSD法制备Mn掺杂BiFeO_3薄膜及结构观察

• 发表时间: 2011
• 作者: 水谷雅巳;木口賢紀;宇佐美徳隆;今野豊彦;篠崎和夫
• 通讯作者: 篠崎和夫

Pb(Mg_<1/3>Nb_<2/3>)O_3薄膜における化学的秩序構造

Pb(Mg_<1/3>Nb_<2/3>)O_3薄膜中的化学有序结构

• 发表时间: 2014
• 作者: 木口賢紀;範滄宇;今野豊彦;安本洵;長崎正雅;山田智明
• 通讯作者: 山田智明

酸化物電極からPb(Zr,Ti)O_3薄膜へ印加される応力のTEMによる評価

氧化物电极对Pb(Zr,Ti)O_3薄膜施加应力的TEM评估

• 发表时间: 2012
• 作者: 坂元尚紀;小澤貢太郎;石塚正明;脇谷尚樹;鈴木久男;木口賢紀;今野豊彦
• 通讯作者: 今野豊彦

積層欠陥を含むPbTiO_3厚膜の組織解析

含堆垛层错的PbTiO_3厚膜微观结构分析

• 发表时间: 2011
• 作者: 青柳健大;兒玉裕美子;木口賢紀;宇佐美徳隆;今野豊彦;江原祥隆;舟窪浩;山田智明
• 通讯作者: 山田智明