Development of dopant atom devices based on silicon nanostructures

基于硅纳米结构的掺杂原子器件的开发

• 批准号: 23226009
• 负责人: Tabe Michiharu
• 金额: $ 134.04万
• 依托单位: Shizuoka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011-04-01 至 2016-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23226009/
• 关键词: 電子デバイス・機器; シングルドーパント; シリコン; 量子ドット; ドーパント原子; ナノデバイス; トランジスタ; 接合ダイオード

项目成果

単一ドーパントシミュレーション-ナノ構造内ドーパント原子の状態と電子輸送

单掺杂剂模拟 - 纳米结构内的掺杂剂原子态和电子传输

• 发表时间: 2011
• 作者: K.Maeda;T.Yoshimura;A.Ashida;N.Fujimura;A.Udhiarto;藤村紀文(分担);R.Nowak;M.Tabe;Y. Kuzuya;Y.Kuzuya;M. Tabe;田部道晴;田部道晴;M.Anwar;A.Udhiarto;R.Nowak;D.Moraru;M.Tabe;葛屋陽平;ダニエルモラル;アンワルミフタフル;A.Udhiarto;葛屋陽平;田部道晴;田部道晴;ダニエルモラル
• 通讯作者: ダニエルモラル

Single dopant devices : Toward diversity and high temperature operation

单掺杂器件：走向多样性和高温运行

• 发表时间: 2011
• 作者: K.Maeda;T.Yoshimura;A.Ashida;N.Fujimura;A.Udhiarto;藤村紀文(分担);R.Nowak;M.Tabe
• 通讯作者: M.Tabe

Photon-induced electron trapping by a single donor

单个供体的光子诱导电子捕获

• 发表时间: 2011
• 作者: 枷場亮祐^*,安藤真,原正一;吉村昭彦;M.Tabe;A.Udhiarto
• 通讯作者: A.Udhiarto

Effect of Free Carriers on Dopant-induced Surface Potential in SOI-FETS

自由载流子对 SOI-FET 中掺杂剂引起的表面电势的影响

• 发表时间: 2011
• 作者: K.Maeda;T.Yoshimura;A.Ashida;N.Fujimura;A.Udhiarto;藤村紀文(分担);R.Nowak;M.Tabe;Y. Kuzuya;Y.Kuzuya;M. Tabe;田部道晴;田部道晴;M.Anwar
• 通讯作者: M.Anwar

Single-electron transfer between two donors via an interface dot

通过界面点在两个供体之间进行单电子转移

• 发表时间: 2011
• 作者: 枷場亮祐;安藤真;原正一;吉村昭彦;J.C.Tarido
• 通讯作者: J.C.Tarido