Epitaxial growth of SiGe films on ferromagnetic alloys and its application to vertical spin devices
铁磁合金上SiGe薄膜的外延生长及其在垂直自旋器件中的应用
基本信息
- 批准号：22686003
- 负责人：
- 金额：$ 16.56万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
For vertical-metallic source/drain spin transistors, we focused on the high-quality fabrication of semiconductor channels on a ferromagnetic metal. Using molecular beam epitaxy and atomic arrangements between Fe_3Si and Ge at the (111) plane, we have developed Si atomic termination method for the Fe_3Si surface. As a result, we demonstrated epitaxial growth of high-quality Ge films on Fe_3Si. This study will open a new way for vertical-type Ge-channel transistors with metallic source/drain contacts.
对于垂直金属源/排水旋转晶体管，我们专注于在铁磁金属上高质量的半导体通道。使用（111）平面的Fe_3Si和GE之间的分子束外延和原子布置，我们为Fe_3Si表面开发了Si原子终止方法。结果，我们证明了Fe_3Si上高质量GE膜的外延生长。这项研究将为具有金属源/排水接触的垂直型GE通道晶体管打开一种新的方式。
项目成果
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专著数量（0）
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会议论文数量（0）
专利数量（0）
High-quality epitaxial CoFe/Si(111) heterojunctions fabricated by low-temperature molecular beam epitaxy
低温分子束外延制备高质量外延CoFe/Si(111)异质结
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Y.Maeda;Y.Ando;et al.
- 通讯作者：et al.
An ultra thin buffer layer for Ge epitaxial growth on Si
用于在 Si 上外延生长 Ge 的超薄缓冲层
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：M. Kawano;S. Yamada;K. Tanikawa;K. Sawano;M. Miyao;and K. Hamaya
- 通讯作者：and K. Hamaya
High-quality epitaxial growth of ferromagnetic alloys on group-IV semiconductors for spintronic devices
用于自旋电子器件的 IV 族半导体上铁磁合金的高质量外延生长
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K.Hamaya;M.Miyao
- 通讯作者：M.Miyao
Marked suppression of the Fermi-level pininng at atomically matched Fe_3Si/p-Ge(111) contacts
原子匹配的 Fe_3Si/p-Ge(111) 接触处费米能级钉扎的显着抑制
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Kasahara;S. Yamada;M. Miyao and K. Hamaya
- 通讯作者：M. Miyao and K. Hamaya
Spin accumulation created electrically in an n-type germanium channel using Schottky tunnel contacts
- DOI：10.1063/1.3670985
- 发表时间：2012-04-01
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：Kasahara, K.;Baba, Y.;Hamaya, K.
- 通讯作者：Hamaya, K.
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