Study on bound exciton states of isoelectronic centers

等电子中心束缚激子态的研究

• 批准号: 22760229
• 负责人: HARADA Yukihiro
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: Kobe University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22760229/
• 关键词: 束縛励起子; 等電子トラップ; 光物性; 電子・電気材料; 半導体物性

Impurity centers in a semiconductor have been attracting a strong interest for the realization of the solid-state photon sources with the specific emission wavelength. In this work, we achieved an extremely high uniformity of the emission wavelength for the exciton bound to the nitrogen(N) pairs. We studied the spatial localization of excitons bound to N pairs in Nδ-doped GaAs. Furthermore, we studied the bound exciton-acoustic phonon coupling in Nδ-doped GaAs.

在这项工作中，我们的杂质中心是波长在N Q掺杂的GAA中。

项目成果

窒素をデルタドープしたGaAsにおける励起子微細構造の反磁性シフト

氮δ掺杂GaAs中激子精细结构的抗磁位移

• 发表时间: 2010
• 作者: 兵頭彦次;谷村充;杉山真悟;佐藤良一;原田幸弘
• 通讯作者: 原田幸弘

Interaction Between Conduction-band Edge and Nitrogen-related Localized Levels in Nitrogen δ-doped GaAs

氮 δ 掺杂 GaAs 导带边缘与氮相关局域能级之间的相互作用

• 发表时间: 2011
• 期刊: Physica Status Solidi C
• 作者: Y.Harada;O.Kojima;T.Kita;O.Wada
• 通讯作者: O.Wada

窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線のキャップ層成長条件依存性

氮δ掺杂 GaAs 中的束缚激子发射线对盖层生长条件的依赖性

• 发表时间: 2011
• 作者: 石田稔博;榊洋介;小谷哲浩;高明天;金村崇;小柴康子;三崎雅裕;堀江聡;石田謙司;上田裕清;小島磨;日本学術振興会情報科学用有機材料第142委員会C部会;山下太香恵;五井恵太;藤井良治;原田幸弘;大田翔平;原田幸弘
• 通讯作者: 原田幸弘

Two-photons transition in intermidiate band solar cells

中带太阳能电池中的双光子跃迁

• 发表时间: 2011
• 作者: W.G.Hu;Y.Harada;T.Inoue;O.Kojima;T.Kita
• 通讯作者: T.Kita

Suppression of Nonradiative Recombination Process in Directly Si-Doped InAs Quantum Dots

直接掺硅 InAs 量子点中非辐射复合过程的抑制

• 发表时间: 2011
• 作者: R. Hasegawa;T. Inoue;T. Tanaka;H. Harada;O. Kojima and T. Kita
• 通讯作者: O. Kojima and T. Kita