Detection and Coherent Manipulation of Andreev Bound States in Semiconducting Nanowires

半导体纳米线中安德烈夫束缚态的检测和相干操纵

基本信息

批准号：
22760018
负责人：
NISHIO Takahiro
金额：
$ 2.33万
依托单位：
The Institute of Physical and Chemical Research
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010 至 2011
项目状态：
已结题

项目摘要

One-dimensional superconducting transistors have been fabricated with individual InAs nanowires(NWs) using radio-frequency sputter cleaning followed by in situ metal deposition. Because of the highly transparent contacts formed in between the InAs NWs and the metals, supercurrent, multiple Andreev reflections and Shapiro steps under microwave radiation have been observed. Near pinch-off gate regions, Fabry. Perot interference and a normal conductance quantization with resonant features have been observed, which were found to be correlated with a supercurrent flow. By using the method, we fabricated transmon superconducting qubits with InAs NWs.

一维超导晶体管已使用单独的INAS纳米线（NWS）制造，并使用射频溅射清洁，然后是原位金属沉积。由于在INAS NWS和金属之间形成了高度透明的接触，因此已经观察到超电流，在微波辐射下的多个Andreev反射和Shapiro步骤。靠近捏的大门区域，法布里。已经观察到了孔隙干扰和具有谐振特征的正常电导量化，发现与超电流量相关。通过使用该方法，我们用inas nws制造了transmon超导量子。

项目成果

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Fabrication of superconducting transistors with InAs nanowires

用 InAs 纳米线制造超导晶体管

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takahiro Nishio;et al
通讯作者：
et al

Supercurrent through InAs nanowires with highly transparent superconducting contacts

DOI：
10.1088/0957-4484/22/44/445701
发表时间：
2011-11
期刊：
Nanotechnology
影响因子：
3.5
作者：
T. Nishio;T. Kozakai;S. Amaha;M. Larsson;H. Nilsson;H. Xu;Guoqiang Zhang;K. Tateno;H. Takayanagi;K. Ishibashi
通讯作者：
T. Nishio;T. Kozakai;S. Amaha;M. Larsson;H. Nilsson;H. Xu;Guoqiang Zhang;K. Tateno;H. Takayanagi;K. Ishibashi

InAsナノワイヤを用いたジョセフソン接合中の超伝導電流

使用 InAs 纳米线在约瑟夫森结中实现超导电流