Designguidelinefor frequencytunable terahertz electromagnetic wave emittersonthe basis of semiconductorphysics

基于半导体物理的频率可调太赫兹电磁波发射器设计指南

• 批准号: 22760010
• 负责人: TAKEUCHI Hideo
• 金额: $ 2.91万
• 依托单位: The University of Shiga Prefecture
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22760010/
• 关键词: 光物性; テラヘルツ電磁波; 超高速現象; コヒーレント縦光学フォノン; プラズモン; 光変調反射分光; GaAsエピタキシャル膜

We, on thebasisofsemiconductor physics, have investigated frequency tunable terahertz (THz) emitter. i-GaAs/ n-GaAs structures is suitable the frequency tunable THz emitters because their built-in electric field is controlled with the i-GaAs layer thickness. In addition, we have found that in the i-GaAs(d nm)/n-GaAs structure has frequency tenability. These characteristics are provided by the coupling mode between the longitudinal optical phonon and plasmon. We have taken account of the fact that the effect of the built-in electric field dominates the characteristics of the THz wave. We have found that the strained multiple quantum wells with the (11n) orientation emits the monochromatic the THzwave.

我们以半导体物理为基础，研究了频率可调谐太赫兹（THz）发射器。 i-GaAs/n-GaAs 结构适合频率可调太赫兹发射器，因为它们的内置电场由 i-GaAs 层厚度控制。此外，我们发现i-GaAs(d nm)/n-GaAs结构具有频率稳定性。这些特性是由纵向光学声子和等离子体激元之间的耦合模式提供的。我们已经考虑到内置电场的影响在太赫兹波的特性中占主导地位。我们发现具有(11n)取向的应变多量子阱发射单色太赫兹波。

项目成果

Enhancement effects on excitonic photoluminescence intensity originating from misaligned crystal blocks and polycrystalline grains in a ZnO wafer

• DOI: 10.1140/epjb/e2012-30502-7
• 发表时间: 2013-02
• 期刊: The European Physical Journal B
• 作者: H. Takeuchi

Terahertz spectroscopy of dynamics of coupling between the coherent longitudinal optical phonon and plasmon in the surge current of instantane ously photogenerated carriers flowing through the i-GaAs layer of an i-GaAs/n-GaAs epitaxial structure

流过 i-GaAs/n-GaAs 外延结构 i-GaAs 层的瞬时光生载流子浪涌电流中相干纵向光学声子和等离子体激元之间耦合动力学的太赫兹光谱

• DOI: 10.1063/1.3603046
• 发表时间: 2011
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: Hideo Takeuchi;Syuichi Tsuruta;Masaaki Nakayama
• 通讯作者: Masaaki Nakayama

アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造におけるキャリア輸送を利用した超高速光応答制御

使用未掺杂 GaAs/n 型 GaAs 外延结构中的载流子传输进行超快光学响应控制

• 发表时间: 2012
• 作者: 長谷川尊之

(11n)面方位GaAs/InAlAs歪み多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからのTHz電磁波発生

(11n) 平面取向 GaAs/InAlAs 应变多量子阱中相干 LO 声子产生太赫兹电磁波

• 发表时间: 2011
• 作者: 浅井聡太;鶴田修一;竹内日出雄;中山正昭
• 通讯作者: 中山正昭

アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造におけるキャリア輸送過程に起因した超高速光応答II

未掺杂GaAs/n型GaAs外延层结构II中载流子传输过程引起的超快光学响应

• 发表时间: 2013
• 作者: S. Mukherjee;J. Kwon;M. Jamali;M. Hayashi;and H. Yang;長谷川尊之
• 通讯作者: 長谷川尊之