Study on low temperature thin film formation method by controlling chemical bonds on solid surface

控制固体表面化学键的低温薄膜形成方法研究

基本信息

批准号：
22560713
负责人：
HABUKA Hitoshi
金额：
$ 2.91万
依托单位：
Yokohama National University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010 至 2012
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22560713/
关键词：
材料合成プロセス炭化珪素表面活性化低温薄膜形成

项目摘要

In order to prepare the chemically active surface, we performed various methods, such as (1) the formation of thin silicon film, (2) plasma etching of silicon surface (removing native oxide and organic contamination). The silicon carbide thin film was formed using monomethylsilane gas on such the active surface with surveying its optimum condition. Based on the results, the silicon carbide thin film formation was tried on surfaces of aluminum, stainless steel and polyimide.

为了制备化学活性表面，我们执行了各种方法，例如（1）薄硅膜的形成，（2）硅表面的等离子体蚀刻（去除天然氧化物和有机污染）。使用单甲基硅烷气体在活性表面上使用单甲基硅烷气体形成碳化硅薄膜，并测量其最佳状态。根据结果，在铝，不锈钢和聚酰亚胺的表面上尝试了碳化硅薄膜的形成。

项目成果

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专利数量（0）

シリコン中間層を用いた炭化珪素薄膜低温形成法

使用硅中间层的碳化硅薄膜低温形成方法

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
A. Takeda;A Minowa;T. Oku;A. Suzuki;K. Kikuchi;Y. Yamasaki;津地雅希,羽深等
通讯作者：
津地雅希,羽深等

Low Temperature SiC Film Deposition Using Trichlorosilane Gas and Monomethylsilane Gas

使用三氯硅烷气体和一甲基硅烷气体进行低温 SiC 薄膜沉积

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
影响因子：
0
作者：
Hitoshi Habuka;Yusuke Ando
通讯作者：
Yusuke Ando

Amorphous Silicon Carbide Chemical Vapor Deposition on Metal Surface Using Monomethylsilane Gas at Low Temperatures

低温下使用甲基硅烷气体在金属表面化学气相沉积非晶碳化硅

DOI：
10.1016/j.surfcoat.2012.11.078
发表时间：
2013
期刊：
Surface and Coating Technology
影响因子：
0
作者：
A.N.Itakura;Shoji Takagi;Shinji Suzuki;Tetsuji Gotoh;Yoshiharu Murase;Masahiro Tosa;Hitoshi Habuka and Masaki Tsuji
通讯作者：
Hitoshi Habuka and Masaki Tsuji

Silicon Carbide : New Materials, Production Methods and Applications

碳化硅：新材料、生产方法和应用