Magnetic ordering induced by spin polarized electronsin quantum structures

量子结构中自旋极化电子引起的磁有序

基本信息

批准号：
22360265
负责人：
TANIYAMA Tomoyasu
金额：
$ 12.23万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010 至 2012
项目状态：
已结题

项目摘要

In this work, the effect of spin-polarized electrons on the magnetic properties of magnetic quantum structures on semiconductors was investigated by irradiating with circularly polarized light. The irradiation of circular polarized light was found to be able to generate spin-polarized electrons efficiently in the semiconductor near the interface, and as a result, the generated spin-polarized electrons could modulate the magnetic properties of the quantum structures in this approach.

在这项工作中，通过用圆极化光照射来研究自旋偏振电子对磁量子结构对半导体的磁性的影响。发现圆形极光的照射能够在界面附近的半导体中有效地产生自旋偏振电子，因此，所产生的自旋极化电子可以在这种方法中调节量子结构的磁性特性。

项目成果

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Cu/Ni/GaAs(001)多層膜におけるCu/Ni膜厚比と積層周期及び磁気特性との相関

Cu/Ni/GaAs(001)多层膜中Cu/Ni膜厚比、堆积周期与磁性能的相关性

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
白幡泰浩; 伊藤満; 谷山智康
通讯作者：
谷山智康

スピン依存光電流の効率的検出とスピイク状符号反転

自旋相关光电流的有效检测和尖峰信号反转

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
和田詠史;白幡泰浩;内藤朋之;伊藤満;山口雅史;谷山智康
通讯作者：
谷山智康

Optically oriented electron spin transport across a Heusler alloy/GaAs quantum well interface

穿过 Heusler 合金/GaAs 量子阱界面的光学定向电子自旋传输

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y.Shirahata;H.Muraoka;M.Itoh;Y.K.Takahashi;K.Hono;M.Yamaguchi;T.Taniyama
通讯作者：
T.Taniyama

Energy Dissipation-Less Spin-Based Devices

无能量耗散的自旋器件

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
椎名亮太;鈴木一平;白幡泰浩;和田詠史;伊藤満;谷山智康;T. Taniyama
通讯作者：
T. Taniyama

Spinpo larize delectron transmission into Ga As quantum well across Fe3O4:Optical spin orientation analysis

自旋极化电子穿过 Fe3O4 传输到 Ga As 量子阱：光学自旋取向分析

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
O. Haruyama;T. Watanabe;K. Yuki;M.Horiuchi;H. Kato;N. Nishiyama;門内輝行;E.Wada,Y.Shirahata,T.Naito,M.Itoh,M.Yamaguchi,andT.Taniyama
通讯作者：
E.Wada,Y.Shirahata,T.Naito,M.Itoh,M.Yamaguchi,andT.Taniyama