Nonvolatile-device-based PVT-variation-resilient VLSI system

基于非易失性器件的 PVT 抗变化 VLSI 系统

• 批准号: 22360137
• 负责人: HANYU TAKAHIRO
• 金额: $ 11.65万
• 依托单位: Tohoku University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010-04-01 至 2014-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22360137/
• 关键词: 回路設計技術; 集積回路; バラつき補正技術; 新機能デバイス; 最適化技術

The aim of this research is to develop a new paradigm VLSI design methodology which relaxes design margin and realizes high-performance VLSI with high-dependability. In this research, we developed a MOS/magnetic-tunnel-junction-hybrid logic-circuit style for realizing a PVT-variation-aware VLSI processor with higher performance capability. For applying the proposed method to large-scale circuit structures, an optimization algorithm of circuit parameters based on evolutionary computation technique was also examined.

这项研究的目的是开发一种新的范式VLSI设计方法，该方法可以放松设计余量，并实现具有高依赖性的高性能VLSI。 在这项研究中，我们开发了一种MOS/磁性接口 - 杂交逻辑电路样式，用于实现具有较高性能能力的PVT-Variation-Awariation-Awariation-Awariation-Awariation-Awariation-Awariation-Awariation-Awariation-Awariation-Awariation-Awariation-Awariation-ward-variation-warcirid-circuit。为了将提出的方法应用于大规模电路结构，还检查了基于进化计算技术的电路参数的优化算法。

项目成果

Design of Process-Variation-Resilient Analog Basic Components Using Magnetic-Tunnel-Junction Devices

使用磁隧道结器件设计抗工艺变化的模拟基本组件

• 发表时间: 2013
• 期刊: Journal of Multiple-Valued Logic and Soft Computing
• 影响因子: 1.3
• 作者: S.Matsuo;K.Takenaga;Y.Arakawa;Y.Sasaki;S.Tanigawa;K.Saitoh;M.Koshiba;福島誉史;張遼;M. Natsui and T. Hanyu
• 通讯作者: M. Natsui and T. Hanyu

MTJ素子を用いた不揮発ロジックLSIの低電力化に関する一考察

利用MTJ元件降低非易失性逻辑LSI功耗的研究

• 发表时间: 2013
• 作者: 夏井雅典;荒木敦司;羽生貴弘
• 通讯作者: 羽生貴弘

MTJ素子を用いた完全並列形不揮発TCAMワード回路の構成

使用 MTJ 元件配置完全并行非易失性 TCAM 字电路

• 发表时间: 2011
• 作者: 勝俣翠;松永翔雲;夏井雅典;羽生貴弘
• 通讯作者: 羽生貴弘

Design and Evaluation of a Differential Switching Gate for Low-Voltage Applications

低压应用差分开关门的设计和评估

• DOI: 10.1109/ismvl.2013.23
• 发表时间: 2013
• 期刊: 43rd IEEE International Symposium on Multiple-Valued Logic (ISMVL2013)
• 作者: M. Natsui;K. Kashiuchi;and T. Hanyu
• 通讯作者: and T. Hanyu

Process-Variation-Aware VLSI Design Using an Emerging Functional Devices and Its Impact

使用新兴功能器件的过程变化感知 VLSI 设计及其影响

• 发表时间: 2010
• 作者: Santa Clara;USA;M. Natsui and T. Hanyu
• 通讯作者: M. Natsui and T. Hanyu