Charge order and two pseudogap structures of Bi-based high-T_c superconductor studied by STM・STS

STM·STS研究Bi基高温超导体的电荷顺序和两种赝能隙结构

• 批准号: 22340087
• 负责人: IDO Masayuki
• 金额: $ 12.23万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22340087/
• 关键词: 銅酸化物高温超伝導; 走査トンネル顕微法; 走査トンネル分光; 擬ギャップ; 電荷秩序; ノーダルギャップ; 銅酸化物高温超伝導体; d波超伝導; 酸化物高温超伝導体; 操作トンネル顕微法

To investigate the nature of the charge order associated with the large pseudogap, dI/dV images as well as LDOS were measured by using STM/STS technique on Bi-based high Tc cuprates. The present work leads to the following findings; 1) the charge order coexists with the quasiparticle interference patterns at low energies within the energy gap, 2) the period of the charge order tends to increase discontinuously by multiples of a lattice constant as the doping level is increased, and 3) the doping level is enhanced in the bright region of the charge order compared with the dark region. These results indicate that the charge order will originate in the redistribution of holes within the Cu-O planes, as that illustrated in the stripe model. Relationship between the small pseudogap and the superconductivity was also examined in the present work.

为了研究与大型伪群相关的电荷顺序的性质，使用在基于BI的高TC蛋白酸酯上使用STM/STS技术来测量DI/DV图像以及LDOS。目前的工作导致以下发现； 1）电荷顺序与能量间隙内低能的准粒子干扰模式共存，2）随着掺杂水平的增加，电荷顺序的周期倾向于通过晶格常数的倍数不连续增加，而3）3）与黑暗区域相比，掺杂水平的增强水平增强了。这些结果表明，正如条纹模型中所示的那样，电荷顺序将起源于Cu-O平面内孔的重新分布。在本工作中还检查了小伪群和超导性之间的关系。

项目成果

Stripe order and superconductivity in the mechanical milling La_1.6-xNd_0.4Sr_xCuO_4

机械铣削La_1.6-xNd_0.4Sr_xCuO_4中的条带序和超导性

• 发表时间: 2011
• 作者: K. Iwamitsu;S. Aihara;T. Shimamoto,A. Fujii;I. Akai;N. Momono
• 通讯作者: N. Momono

銅酸化物高温超伝導体Bi_2Sr_2CaCu_2O_8+δの超伝導に対するZn添加効果

Zn添加对氧化铜高温超导体Bi_2Sr_2CaCu_2O_8+δ超导性的影响

• 发表时间: 2010
• 作者: 8 I. Akai;K. Yamashiro;Y. Yoshizaki,T. Shimamoto;K. Iwamitsu;A. Fujii;鈴木隆広,桃野直樹,鳥居粛,高野英明,村山茂幸,酒井彰
• 通讯作者: 鈴木隆広,桃野直樹,鳥居粛,高野英明,村山茂幸,酒井彰

STM/STSから見たBi系超伝導体の電荷秩序とストライプ

从 STM/STS 观察 Bi 基超导体中的电荷顺序和条纹

• 发表时间: 2012
• 作者: 山路潤;八田暁;宮崎弘;黒澤徹;桃野直樹;小田研;伊土政幸
• 通讯作者: 伊土政幸

STM・STSから見たアンダードープBi2212の超伝導ギャップ、擬ギャップ

从STM/STS观察欠掺杂Bi2212的超导能隙和赝能隙

• 发表时间: 2010
• 作者: 北島裕介;黒澤徹;横内崇之;桃野直樹;小田研;伊土政幸
• 通讯作者: 伊土政幸

STM/STSから見たBi-La2201の2次元電荷秩序とフェルミ面でのギャップ構造

从 STM/STS 观察 Bi-La2201 费米表面的二维电荷序和带隙结构

• 发表时间: 2010
• 作者: Y. Kim;T. Sueyoshi1;K. Tsuchiya,I. Akai;M. Imada;竹内卓総
• 通讯作者: 竹内卓総