Creation of spin devices based on relativistic effects

基于相对论效应创建自旋装置

基本信息

批准号：
22226001
负责人：
NITTA Junsaku
金额：
$ 138.94万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
财政年份：
2010
资助国家：
日本
起止时间：
2010-04-01 至 2015-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Perpendicular Magnetic Anisotropy in Pt/Co/AlO Trilayer Structures Depending on AlO Thickness and Fabrication Method

Pt/Co/Al2O 三层结构中的垂直磁各向异性取决于 Al2O 厚度和制造方法

DOI：
10.4028/www.scientific.net/kem.616.247
发表时间：
2014
期刊：
Key Engineering Materials
影响因子：
0
作者：
T. Yang;Z.Q. Wang;M. Kohda;T. Seki;K. Taknashi;and J. Nitta
通讯作者：
and J. Nitta

Shot noise at the quantum point contact in InGaAs heterostructure

InGaAs 异质结构中量子点接触处的散粒噪声

DOI：
10.1063/1.4848410
发表时间：
2013
期刊：
AIP Conference Proceedings
影响因子：
0
作者：
Y. Nishihara;S. Nakamura;K. Kobayashi;T. Ono;M. Kohda;J. Nitta
通讯作者：
J. Nitta

Platinum layer thickness dependence of spin-Hall induced effective field in Pt/Co/Pt structures

Pt/Co/Pt 结构中自旋霍尔感应有效场的铂层厚度依赖性

DOI：
10.7567/jjap.53.04em06
发表时间：
2014
期刊：
Jpn. J. of Appl. Phys.
影响因子：
0
作者：
T. Yang;M. Kohda;T. Seki;K. Takanashi;and J. Nitta
通讯作者：
and J. Nitta

Atomic and Electronic Structures of Interfaces for Co2FeAl0.5Si0.5/n-GaAs Junctions

Co2FeAl0.5Si0.5/n-GaAs 结界面的原子和电子结构

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
N. Tezuka;T. Saito;M. Matsuura;S. Sugimoto
通讯作者：
S. Sugimoto

Three-Terminal Hanle Signals in Schottky Tunnel Junctions with Co_2FeAl_<0.5>Si_<0.5> Full-Heusler Alloy Electrodes Deposited at Various Temperatures

不同温度下沉积 Co_2FeAl_<0.5>Si_<0.5> 全赫斯勒合金电极肖特基隧道结中的三端 Hanle 信号

DOI：
10.7567/jjap.52.063001
发表时间：
2013
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
T. Saito;N. Tezuka;M. Matsuura and S. Sugimoto
通讯作者：
M. Matsuura and S. Sugimoto

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

NITTA Junsaku其他文献

NITTA Junsaku的其他文献

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

{{ truncateString('NITTA Junsaku', 18)}}的其他基金

Spin-orbit Engineering

自旋轨道工程

批准号：
15H05699
财政年份：
2015
资助金额：
$ 138.94万
项目类别：
Grant-in-Aid for Specially Promoted Research

Exploration of new spin functionalities in magnetic/non-magnetic heterostructures

磁性/非磁性异质结构中新自旋功能的探索

批准号：
25600069
财政年份：
2013
资助金额：
$ 138.94万
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

Current induced magnonic crystal

电流感应磁晶

批准号：
23656003
财政年份：
2011
资助金额：
$ 138.94万
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research

Spin based three terminal device using magnetic semiconductor/non-magnetic semiconductor hybrid structures

使用磁性半导体/非磁性半导体混合结构的基于自旋的三端器件

批准号：
18206001
财政年份：
2006
资助金额：
$ 138.94万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)

相似海外基金

高強度THzパルスによるスピン流の生成と磁化制御

使用高强度太赫兹脉冲产生自旋电流和磁化控制

批准号：
23KJ1271
财政年份：
2023
资助金额：
$ 138.94万
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows

Si/Al界面のナノスケール傾斜制御と高効率スピン流生成に関する研究

Si/Al界面纳米级倾斜控制及高效自旋电流产生研究

批准号：
22K20359
财政年份：
2022
资助金额：
$ 138.94万
项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up

マグノニクス技術の創成に資するスピン波生成・伝播・位相特性の電界制御

自旋波产生、传播和相位特性的电场控制有助于创建磁振子技术

批准号：
17J08317
财政年份：
2017
资助金额：
$ 138.94万
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows