鉄系超伝導体から始まる新機能性材料のナノテク・イノベーション創生

从铁基超导体开始纳米技术创新创造新型功能材料

基本信息

  • 批准号:
    10J10227
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.79万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2010
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2010 至 2012
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

昨年度までは鉄系超伝導体の中で11系(PbO型)と呼ばれる材料に着目して研究を行ってきた。FeSe(.超伝導転移温度T_c~10K)に代表される11系は鉄系超伝導体の中で唯一Asを含まない材料であり、機能性材料として有望な材料であるが、T_cの低いことが課題であった。ところが2010年12月、FeSeの層間にKをインターカレートしたK_xFe_<2-y>Se_2超伝導体が発見され、T_cは~30Kまで向上した。その単結晶は、一般的にはself-flux法やBridgeman法といった数日間を要する育成法によって得られているが、我々は短時間かつ容易に高品質なK_xFe_<2-y>Se_2単結晶が得られるOne-step合成法を新たに見出した。一方、銅酸化物超伝導体とは異なり、鉄系超伝導体はisovalent置換でも超伝導が発現及び向上する。しかし、これまでK_xFe<2-y>Se_2単結晶のSeの一部をTeで置換したK_xFe2<2-y>Se_<2-z>Te_z単結晶に関する超伝導特性は報告されていない。これは、これまでの育成法が複雑で育成に長時間を要するためK_xFe<2-y>Se_<2-z>Te_zを得ることが困難であったためと考えられる。そこで、我々はOne-step合成法を用いて、K_xFe_<2-y>Se_<2.-y>Te_z結晶の育成に取り組んだ。K_xFe_<2-y>Se_<2-z>Te_zのT_cはT^<onset>_c=32.9K,T^<zero>_c=32.1K(z=O)から、Te置換量増加に伴い、徐々にT^<onset>_c=27.9K,T^<zero>_c=16.7K(z=05)まで低下し、z=0.6で超伝導は消失した。これらの結果からK_xFe_<2-y>Se_2超伝導体においては、Te置換は超伝導を抑制することがわかった。
直到去年,我们一直在研究基于铁的超导体,重点是称为11(PBO类型)的材料。 11个系统由FESE(.supercoductivity Transition Triverition T_C至10K)是唯一基于铁的超导体材料,不包含AS和有前途的材料作为功能材料,但挑战是它的T_C较低。但是,在2010年12月,发现了k_xfe_ <2-y> se_2超导体在FESE层之间插入K,并且T_C提高到约30K。通常是通过花费几天的种植方法(例如自流量方法和Bridgeman方法)获得的,但是我们发现了一种新的单步合成方法,该方法允许快速,易于获得高质量的K_xfe_ <2-Y> SE__2 SE_2单晶。另一方面,与铜氧化物超导体不同,即使取代替代,也开发并改善了铁基超导体的超导性。但是,尚无报告的k_xfe2 <2-y> se__ <2-z> te_z单晶的超导性特性,其中k_xfe <2-y> se_2中的SE部分被TE代替。这被认为是因为先前的开发方法很复杂,并且花了很长时间才能开发,因此很难获得k_xfe <2-y> se__ <2-z> te_z。因此,我们使用一步合成方法来生长k_xfe_ <2-y> se_ <2.-y> te_z晶体。 k_xfe_ <2-y> se_ <2-z> te_z的t_c逐渐从t^<onset> _c = 32.9k = 32.9k和t^<zero> _c = 32.1k(z = o)随着TE替代的量增加,超导性在z = 0.6中消失。这些结果表明,在k_xfe_ <2-y> SE_2超导体中,取代抑制了超导性。

项目成果

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专利数量(0)
Fabrication of superconducting wire for FeSe family using diffusion process
采用扩散工艺制造 FeSe 族超导线材
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    OTOBE;Nobutaka;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;尾崎壽紀;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;尾崎壽紀;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki
  • 通讯作者:
    Toshinori Ozaki
Superconductivity and wire fabrication of FeSe family
FeSe族超导和线材制造
  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    OTOBE;Nobutaka;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;尾崎壽紀;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;尾崎壽紀;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;尾崎壽紀;Toshinori Ozaki
  • 通讯作者:
    Toshinori Ozaki
Development of FeSe and K_0.8Fe_2Se_2 Superconducting wires
FeSe和K_0.8Fe_2Se_2超导线材的研制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    OTOBE;Nobutaka;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;尾崎壽紀;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;尾崎壽紀;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki
  • 通讯作者:
    Toshinori Ozaki
Novel synthesis method of K_xFe_<2-y> Se_2 single crystal
K_xFe_<2-y>Se_2单晶的合成新方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    OTOBE;Nobutaka;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;尾崎壽紀;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;尾崎壽紀;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki
  • 通讯作者:
    Toshinori Ozaki
One-step合成法を用いて育成したK_xFe_<2-z>Se_z蜒超伝導体
一步合成法生长的K_xFe_<2-z>Se_z超导体
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    OTOBE;Nobutaka;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;三河隆之;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;Toshinori Ozaki;尾崎壽紀
  • 通讯作者:
    尾崎壽紀
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