Fabrication and control of strongly-correlated-electron nano-magnetic interfaces toward applications to novel magneto-electric devices

强相关电子纳米磁界面的制造和控制，用于新型磁电器件

基本信息

批准号：
21750198
负责人：
YAMADA Hiroyuki
金额：
$ 3万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2009
资助国家：
日本
起止时间：
2009 至 2010
项目状态：
已结题

项目摘要

In this project, we explored electronic and magnetic functionalities at the interfaces of strongly-correlated-electron oxides. Particularly in the artificial superlattice composed of LaMnO_3 and SrMnO_3, we succeeded in preparing the unprecedentedly high-quality samples, leading to the discovery of colossal magneto-resistance which cannot be observed in bulk (La,Sr)MnO_3 samples. This phenomenon is attributed to the competing insulating and metallic states at the interface between the two materials. These findings are emergent phenomena characteristic of stronglycorrelated-electron systems, which plays an important role for development of new interface devices.

在这个项目中，我们探索了强相关电子氧化物界面的电子和磁性功能。特别是在由LaMnO_3和SrMnO_3组成的人造超晶格中，我们成功地制备了前所未有的高质量样品，从而发现了在块状(La,Sr)MnO_3样品中无法观察到的巨大磁阻。这种现象归因于两种材料之间界面处的竞争绝缘态和金属态。这些发现是强相关电子系统的新兴现象特征，对于新型接口器件的开发发挥着重要作用。

项目成果

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专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

磁場中X線散乱による巨大磁気抵抗効果を示す人工超格子(LaMnO_3)_2(SrMnO_3)_2の研究

人工超晶格(LaMnO_3)_2(SrMnO_3)_2因磁场中X射线散射而表现出巨磁阻效应的研究

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
中尾裕則、山田浩之;他3名
通讯作者：
他3名

Phase Evolution and Critical Behavior of LaMnO_3-SrMnO_3 Superlattices

LaMnO_3-SrMnO_3超晶格的相演化和临界行为

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
H.Yamada;P.-H.Xiang;A.Sawa
通讯作者：
A.Sawa

Magnetic Structure of LaMnO_3-SrMnO_3 superlattice showing large magnetoresistance

大磁阻LaMnO_3-SrMnO_3超晶格的磁结构

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
Liu;三成;Lu;熊谷;瀧宮;塚越;山田浩之
通讯作者：
山田浩之

Structure of LaMnO_3-SrMnO_3 superlattice showing large magnetoresistance

大磁阻LaMnO_3-SrMnO_3超晶格结构

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
山田浩之;他4名
通讯作者：
他4名

ペロブスカイトSr/CaMnO_3薄膜の作製と物性評価

钙钛矿Sr/CaMnO_3薄膜的制备及物性评价

DOI：
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
0
作者：
山田浩之;他5名
通讯作者：
他5名

DOI：
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通讯作者：
Gonzalez Mario