Spektroskopische Untersuchung zum Einbauverhalten des Stickstoffs in den ternären und quaternären Legierungssystemen GaAs1-xNx und InyGa1-yAs1-xNx

三元和四元合金体系 GaAs1-xNx 和 InyGa1-yAs1-xNx 中氮的掺入行为的光谱研究

• 批准号: 5384479
• 负责人: Professor Dr. Hans Christian Alt
• 金额: --
• 依托单位: Fakultät für Angewandte Naturwissenschaften und Mechatronik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2004-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5384479?language=en
• 关键词: Spektroskopische; Untersuchung; zum; Einbauverhalten; des

Die ternären und quaternären Legierungen GaAs1-xNx und InyGa1-yAs1-xNx haben in jüngster Zeit international große Beachtung gefunden als Ausgangsmaterial für Halbleiterlaser im Wellenlängenbereich von 1.3 bis 1.55 µm und für hocheffiziente Solarzellen. Die epitaktisch hergestellten Schichten können Stickstoff bis zu 5% (x=0.05) enthalten. Stickstoffeinbau führt zu einer starken Reduktion der fundamentalen Bandlücke, deren Ursache derzeit intensiv diskutiert wird. Die mikroskopische Defektstruktur des Stickstoffs, insbesondere die Wechselwirkung mit Indium, ist unklar. In diesem Vorhaben wird die FTIR-Absorptionsspektroskopie an lokalisierten Schwingungen des Stickstoffs ausgenutzt werden, um Strukturinformationen über stickstoffhaltige Komplexe in den genannten Legierungen zu gewinnen. Dazu sollen durch gezielte Implantationsexperimente mit N, B und In in Kombination mit dem Ausheilverfahren durch Blitzlampen spezifische Defekte erzeugt werden. Basierend auf der Kenntnis der isolierten Schwingungen von Stickstoff und Bor werden im ersten Schritt N-B-Wechselwirkungen untersucht werden, um zu einem Modell des Einflusses der Substitution der GaMatrixatome durch massenverschiedene Elemente auf die Schwingung des Stickstoffs zu gelangen. Im zweiten Schritt sollen dann durch Koimplantation von Stickstoff und Indium sowie durch Implantation von Stickstoff in InGaAs-Schichten N-In-Komplexe erzeugt werden, um die N-In-Wechselwirkung zu analysieren und Aussagen zum mikroskopischen Einbauverhalten des Stickstoffs im quaternären System treffen zu können.

Zeit国际海滩，海滩材料和海滩材料的国际社会以及1.3 bis 1.55 µm，女巫等的HalbleiterLaser等。 DIE EPITAKTISCH HERGESTELLTEN SCHICHTENNENENN Stickstoff Bis Zu 5％（x = 0.05）StickstoffeinbauführtZu Zu Einer Starkening最终，我们对世界的终结感到高兴。最后，我们很高兴满足经历了世界压力的人们的需求。最后，我们很高兴满足经历了世界压力的人们的需求。最后，我们对经验丰富世界的人们感到高兴。最后，我们对经验丰富世界的人们感到高兴。植入式XSPerimente Mit N，B ud in Kombination Mit Dem ausheilverfahren durch闪电板Spezifische defekte erzete erzeugt erzeugt werden。 Basierend auf der Kenntnis der isolierten Schwingunggen von Stickstoff und Bor werden Schritt N-B-Wechselwirkungen untersucht werden, um zu einem Modell des Einflusses der Substitution der GaMatrixatome durch massenverschiedene Elemente auf Immediately, I am in the midst of arranging the Stickstoffs.立即，我正处于Ingaas-Schichten n-in-in-komplexe Erzeugt Werden中的排列，我正处于美国安排美国的Stickstoffs之中，我正处于美国在美国安排棒状棒。