クリーン量子井戸及び量子細線半導体レーザーにおける次元性とキャリア間相互作用

清洁量子阱和量子线半导体激光器中的维数和载流子相互作用

• 批准号: 09F09283
• 负责人: 秋山 英文
• 金额: $ 1.34万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for JSPS Fellows
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-09F09283/
• 关键词: 薄膜・量子構造; 量子細線; レーザー; MBE; へき開再成長

MBEへき開再成長により結晶成長されたT型量子細線レーザーウエハーに対する、洗浄・電極付け・レーザーバーへき開・ダイボンディング・ワイヤボンディンブなどのプロセスの成功率がこれまで非常に低かったので、その改良と評価を試みた。プロセスでは、これらに加えてレーザーの端面への誘電体多層膜コートによる反射率制御の改善が新たに必要となり、その開発も行った。単層膜についてエリプソメトリー測定と適切なモデル解析を行って波長依存の光学定数を決定し、自動シャッター制御により最大20層程度までの多層膜形成を行った。また、多層膜をつけたレーザー端面の反射率評価を行うために、顕微反射分光システムを作製した。こうして得られた素子に対してIV特性、IL特性、自然放出、誘導放出の計測や、レーザー発振、その他の光学特性評価計測の実験を進めた。レーザー素子が発振しない場合に、電気的な問題と光学的な問題かを切り分けることが重要となり、光導波路の内部ロスやモードの評価を効率よく行うための方法(点励起導波路放出光評価法)を開発した。論文投稿に向けて第一原稿執筆を進めた(翌年度投稿の予定)。10年以上故障休眠していた中古MBE装置に対して、クヌードセンセル・RHEED・シャッター・基板回転機構・真空およびビームフラックスゲージなどのコンポーネンツの評価と修理・ベーキングを進め、さらに空圧制御系や水冷・空冷システムのクリーニングや部品交換を行い、結晶成長を開始できるところまで到達することができた。

由于诸如清洁，电极安装，激光杆裂解，模具键合和电线粘结等过程的成功率非常低，对于T型量子线激光晶片而言，由于MBE乳沟的重长而生长，我们试图改善和评估它们。除此之外，该过程还需要通过电介质多层涂层涂层激光的末端表面来改善反射率控制，并且还进行了此过程的开发。对单层膜进行了椭圆测量和适当的模型分析，以确定波长依赖性光学常数，并且通过自动快门控制形成了最高约20层的多层膜。此外，制造了微反射光谱系统，以评估激光边缘表面的反射率，并在其上进行多层膜。对所获得的元素进行了实验，以实验静脉特征，IL特征，自发发射以及刺激的发射，激光振荡以及其他光学特性评估和测量。当激光元件不振荡时，重要的是要将电气问题与光学问题分开，并且已经开发出一种方法（点激发波导发射光评估方法）来有效评估光学波导的内部损失和模式。我一直在编写我的第一份手稿，以准备提交论文（计划在第二年提交）。对于已休眠已有10多年的二手MBE设备，我们能够评估，维修和烘烤组件，例如Knud Sensel，Rheed，shutter，shutter，板旋转机构，真空和横梁磁通量，以及清洁和替换气动控制系统，以及水冷系统以及水上冷却系统的一部分，并可以开始晶体发展。

项目成果

変調ドープおよび電流注入型1次元量子細線の光学応答

调制掺杂和电流注入一维量子线的光学响应

• 发表时间: 2010
• 作者: KIM Changsu;OKANO Makoto;MOCHIZUKI;Toshimitsu;YOSHITA Masahiro;CHEN Shaoqiang;AKIYAMA Hidefumi;PFEIFFER Loren N.;WEST Ken W.;秋山英文
• 通讯作者: 秋山英文

半導体レーザーの利得スイッチングにおける非平衡キャリアによる光学利得

半导体激光器增益切换中载流子不平衡导致的光学增益

• 发表时间: 2012
• 作者: 伊藤隆;陳少強;吉田正裕;福田圭介;望月敏光;金昌秀;丸山俊;秋山英文;L.N.Pfeiffer A;K.W.West A
• 通讯作者: K.W.West A

T型GaAs単一量子細線レーザーへの電流注入と発光特性

T型GaAs单量子线激光器的电流注入和发射特性

• 发表时间: 2012
• 作者: 金昌秀;望月敏光;岡野真人;吉田正裕;陳少強;秋山英文;Loren N.PfeifferB;Ken W.WestB
• 通讯作者: Ken W.WestB

T-shaped GaAs/AlGaAs Single Quantum Wire Laser by Arm-arm Current-Injection

臂臂电流注入T形GaAs/AlGaAs单量子线激光器

• 发表时间: 2011
• 作者: KIM Changsu;OKANO Makoto;MOCHIZUKI Toshimitsu;YOSHITA Masahiro;CHEN Shaoqiang;AKIYAMA Hidefumi;PFEIFFER Loren N.;WEST Ken W.
• 通讯作者: WEST Ken W.

Absolute strength of 1D exciton transitions in cleaved-edge-overgrown GaAs quantum wires

解理边缘过度生长的 GaAs 量子线中一维激子跃迁的绝对强度

• 发表时间: 2011
• 作者: Shaoqiang Chen;et al
• 通讯作者: et al