Mechanism of Electrical Conductivity of Hydrogenated Zinc Oxide as a Novel Transparent Conductive Material

新型透明导电材料氢化氧化锌的导电机理

• 批准号: 21560695
• 负责人: OZAWA Kenichi
• 金额: $ 3.16万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2009
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2009 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21560695/
• 关键词: 導電性透明材料; 金属酸化物; 水素; 金属-半導体転移; 二次元電子ガス; 電気伝導; バンド構造; シンクロトロン放射光; 酸化亜鉛; 半導体-金属転移; 表面金属化; 接合界面; 電荷ドナー; テトラチアフルバレン; アクリジンオレンジベース; 酸化マグネシウム; 電荷蓄積層; 保護膜; 光刺激脱離; 角度分解光電子分光; 電荷移動

An electronic structure of hydrogenated ZnO is investigated by surface-science techniques utilizing synchrotron radiation. Hydrogenation induces two-dimensional metallicity with a free-electron-like property and realizes a high electrical conductivity at the ZnO surface. The usefulness of hydrogenated ZnO as a novel transparent conductive material is proved.

通过使用同步加速器辐射的表面科学技术研究了氢化ZnO的电子结构。氢化具有二维金属性，具有自由电子样特性，并在ZnO表面实现了高电导率。证明了氢化ZnO作为新型透明导电材料的有用性。

项目成果

ゴム/真鍮界面における真鍮表面の硫化過程

橡胶/黄铜界面处黄铜表面的硫化过程

• 发表时间: 2012
• 作者: 小澤健一;他7名
• 通讯作者: 他7名

ZnO表面における水素吸着誘起金属化の表面依存性

ZnO 表面氢吸附诱导金属化的表面依赖性

• 发表时间: 2010
• 作者: D. Yue;R. Yamada;S. Fujino;T. Ka j iwara;R.Y.Umetsu;小澤健一,間瀬一彦
• 通讯作者: 小澤健一,間瀬一彦

ZnO表面の水素誘起金属化における表面構造依存性

ZnO 表面氢诱导金属化的表面结构依赖性

• 发表时间: 2010
• 作者: 中村浩一;塩澤壮由;道廣嘉隆;和田智志;小澤健一,間瀬一彦
• 通讯作者: 小澤健一,間瀬一彦

Characterization of Hydrogen-induced Metallic State on the ZnO Surfaces

ZnO 表面氢诱导金属态的表征

• 发表时间: 2009
• 作者: K. Ozawa;K. Mase
• 通讯作者: K. Mase

酸化亜鉛表面の吸着誘起金属化現象

氧化锌表面吸附诱导金属化现象

• 发表时间: 2009
• 作者: K.Nakamura;et al;小澤健一,間瀬一彦
• 通讯作者: 小澤健一,間瀬一彦