Study on automatic operating margin maximization for analog VLSI circuits with the endurance for device characteristic variation and aging degradation.
具有器件特性变化和老化退化耐受性的模拟 VLSI 电路的自动工作裕度最大化研究。
基本信息
- 批准号:21560356
- 负责人:
- 金额:$ 2.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2009
- 资助国家:日本
- 起止时间:2009 至 2011
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
A new design method : “automatic operating margin maximization method“ was developed to achieve the high reliable LSIs for the automotive / robot with avoiding the problems of environmental (temperature) changes, variations, aging, etc.. For oscillators, analog amplifier, and memory (SRAM) circuits, the margin maximization technique, performance tuning technique and advanced margin-free design concept were developed respectively. Two papers, four international conference talks and two patents was issued.
开发了一种新的设计方法:“自动操作裕度最大化方法”,以实现汽车/机器人的高可靠性LSI,避免环境(温度)变化、变化、老化等问题。对于振荡器、模拟放大器和分别发表了两篇论文、四篇国际会议报告和两项专利。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
An Experimental Verification of the Design Margin Analysis Method for Even-Stage Ring Oscillators with CMOS Latch
CMOS锁存器偶数级环形振荡器设计裕度分析方法的实验验证
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Y. Hirakawa;N. Mimura;A. Motomura;K. Nakamura
- 通讯作者:K. Nakamura
CMOS偶数段リング発振回路の設計マージンの測定
CMOS偶数级环形振荡器电路设计余量的测量
- DOI:
- 发表时间:2011
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:出店克顕;塩島謙次;平川豊・本村綾美・三村法寛・中村和之
- 通讯作者:平川豊・本村綾美・三村法寛・中村和之
A Ratio-Less 10-Transistor Cell and Static Column Retention Loop Structure for Fully Digital SRAM
用于全数字 SRAM 的无比率 10 晶体管单元和静态列保持环结构
- DOI:
- 发表时间:2012
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Saito;T. ; Okamura;H. ; Yamamoto;H. ;
- 通讯作者:H. ;
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
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$ 2.83万 - 项目类别:
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