Fabrication of transparent high mobility light emitting devices by controlling lattice defects

通过控制晶格缺陷制造透明高迁移率发光器件

• 批准号: 20760448
• 负责人: OHNISHI Tsuyoshi
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20760448/
• 关键词: 表面; 界面物性; マイクロ・ナノデバイス; MBE、エピタキシャル

I have investigated to develop transparent, electrically conductive, and light emitting devices composed of SrTiO_3, which is a key material in oxide electronics, just like Si in semiconducting electronics. Formation of AlO_x thin films on SrTiO_3 single crystals and analyses of these samples resulted in constructions of transparent conductive, conductive light emitting, and transparent light emitting SrTiO_3. Formation design of transparent, conductive, and light emitting SrTiO_3 was obtained.

我已经研究了由SRTIO_3组成的透明，导电和发光的发射器件，该设备是氧化物电子中的关键材料，就像半导体电子设备中的SI一样。在SRTIO_3单晶上的Alo_x薄膜的形成和这些样品的分析导致透明导电，导电光发射和透明的光发射SRTIO_3的结构。获得了透明，导电和发光SRTIO_3的形成设计。

项目成果

Pulsed Laser Deposition:薄膜組成と界面特性

脉冲激光沉积：薄膜成分和界面特性

• 发表时间: 2008
• 作者: T. Ohnishi;K. Shibuya;T. Yamamoto;M. Lippmaa;Tsuyoshi Ohnishi;T. Harada;K. Tsubouchi;Yutaka Adachi;T. Ohnishi;柴田竜雄;安達裕;柴田竜雄;大西剛;Buithi Hang;大西剛;柴田竜雄;柴田竜雄;大西剛;大西剛;Y.Adachi;伊高健治;大西剛;大西剛;大西剛;菊月達也;山本剛久;Yutaka Adachi;大西剛
• 通讯作者: 大西剛

二次元ペロブスカイトナノシートをシードに用いたガラス基板上へのc軸配向アナターゼ薄膜の作製

以二维钙钛矿纳米片为晶种在玻璃基板上制备c轴取向锐钛矿薄膜

• 发表时间: 2010
• 作者: T. Ohnishi;K. Shibuya;T. Yamamoto;M. Lippmaa;Tsuyoshi Ohnishi;T. Harada;K. Tsubouchi;Yutaka Adachi;T. Ohnishi;柴田竜雄
• 通讯作者: 柴田竜雄

PLD法によるLiCoO_2薄膜の作製と品質制御

PLD法制备LiCoO_2薄膜及质量控制

• 发表时间: 2009
• 作者: T. Ohnishi;K. Shibuya;T. Yamamoto;M. Lippmaa;Tsuyoshi Ohnishi;T. Harada;K. Tsubouchi;Yutaka Adachi;T. Ohnishi;柴田竜雄;安達裕;柴田竜雄;大西剛
• 通讯作者: 大西剛

二次電池の現状と今後の展開

二次电池的现状及未来发展

• 发表时间: 2009
• 作者: T. Ohnishi;K. Shibuya;T. Yamamoto;M. Lippmaa;Tsuyoshi Ohnishi;T. Harada;K. Tsubouchi;Yutaka Adachi;T. Ohnishi;柴田竜雄;安達裕;柴田竜雄;大西剛;Buithi Hang;大西剛;柴田竜雄;柴田竜雄;大西剛;大西剛
• 通讯作者: 大西剛

Defects and transport in complex oxide thin films

• DOI: 10.1063/1.2921972
• 发表时间: 2008-05-15
• 期刊: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
• 影响因子: 3.2
• 作者: Ohnishi, Tsuyoshi;Shibuya, Keisuke;Lippmaa, Mikk
• 通讯作者: Lippmaa, Mikk