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Study on AlN phosphor based on stacking fault
基于堆垛层错的AlN荧光粉研究
基本信息
- 批准号：20750169
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2008
- 资助国家：日本
- 起止时间：2008 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The luminescent center europium was studied for the rare earth doped aluminum nitride blue phosphor with silicon nitride. TEM measurement clarified europium and silicon forms the stacking fault between aluminum nitride blocks. Valence analysis showed divalent europium and local structure analysis showed europium occupation at large polyhedron site, coinciding with the luminescent property.
研究了用氮化硅氮化氧化铝蓝色磷的稀土掺杂铝的发光中心欧洲。 TEM测量阐明了欧洲裔，硅形成了氮化铝块之间的堆叠断层。价分析显示，二价欧洲裔和局部结构分析显示，大型多面体位点的欧洲占职业，与发光特性一致。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Luminescence and Structure of Europium Doped Aluminum Nitride Phosphor
掺铕氮化铝荧光粉的发光与结构
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：別役倫彰;西本俊介;亀島欣一;三宅通博;武田隆史
- 通讯作者：武田隆史
Local and average structure analysis in anomalous nitride phosphor
异常氮化物荧光粉的局部和平均结构分析
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Gotoh;H. Ishida;武田隆史
- 通讯作者：武田隆史
VUV Property of Some Nitride and Oxynitride Phosphors
一些氮化物和氮氧化物荧光粉的真空紫外特性
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Gotoh;H. Nagoshi;H. Ishida;武田隆史
- 通讯作者：武田隆史
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