Mesoplasma lateral epitaxy for next generation giant electronics

用于下一代巨型电子器件的中质横向外延

• 批准号: 20686049
• 负责人: KAMBARA Makoto
• 金额: $ 16.39万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20686049/
• 关键词: 薄膜プロセス; エピタキシャル成長; メゾプラズマ; 横方向成長; キャビティリングダウン; エピタキシー; シリコン; 太陽電池

Mesoplasma environment for high rate and low temperature epitaxy was revealed to possess low electron temperature and high ion density characteristics. Atomic hydrogen is also distributed at high concentration uniformly spatially. Nanoclusters, growth precursors for mesoplasma epitaxy, are not affected by a change in the hydrogen partial pressure. These enable us to deposit high quality epitaxial films with no special pre-treatment for substrate prior to deposition, suggesting its advantageous characteristics for large area epitaxial deposition.

高速率低温外延的中质环境具有低电子温度和高离子密度的特性。原子氢也在空间上以高浓度均匀分布。纳米团簇是中质外延生长的前体，不受氢分压变化的影响。这些使我们能够沉积高质量的外延薄膜，而无需在沉积之前对衬底进行特殊的预处理，这表明其对于大面积外延沉积的有利特性。

项目成果

High yield silicon deposition under mesoplasma condition for a next generation Siemens technology

下一代西门子技术的中质条件下的高产硅沉积

• 发表时间: 2010
• 作者: M.Kambara ;T.Yoshida
• 通讯作者: T.Yoshida

Effect of substrate transfer on silicon epitaxy during mesoplasma CVD

介质CVD过程中衬底转移对硅外延的影响

• 发表时间: 2009
• 作者: K.Iwamoto;M.Yoshioka;J.M.A.Diaz;M.Kambara;T.Yoshida
• 通讯作者: T.Yoshida

high rate and low temperature silicon deposition via mesoplasma CVDメゾプラズマCVDによる高品質シリゴン膜の低温高速堆積

通过中间等离子体 CVD 进行高速、低温硅沉积 通过中间等离子体 CVD 进行低温、高速沉积高质量硅薄膜

• 发表时间: 2009
• 作者: 中村雅人;片桐清文;河本邦仁;神原淳
• 通讯作者: 神原淳

プラズマスプレー技術展開

等离子喷涂技术开发

• 发表时间: 2009
• 作者: Higashi;H;Tamura;K.;神原淳
• 通讯作者: 神原淳

Feasibility study of mesoplasma CVD for direct production of high pure Si thin films from trichlorosilane

三氯氢硅介质CVD直接制备高纯硅薄膜的可行性研究

• 发表时间: 2009
• 作者: M.Kambara;J.Fukuda;T.Yamamoto;T.Yoshida
• 通讯作者: T.Yoshida