Pd/Ni混晶型ハロゲン架橋金属錯体における強電子格子相互作用と強電子相関

Pd/Ni混晶卤桥金属配合物中强电子晶格相互作用和强电子相关性

基本信息

批准号：
12023255
负责人：
岩野薫
金额：
$ 0.96万
依托单位：
The High Energy Accelerator Research Organization
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
财政年份：
2000
资助国家：
日本
起止时间：
2000 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

Pd/Ni混晶型ハロゲン架橋金属錯体(Ni_xPd_<(1-x)>(chxn)_2Br_3)の基底状態について理論的な考察を行った。特に、それまでに筆者自身によって平均場近似により得られていた予想、すなわち、「少なくもとNi濃度が50%を超えると、ハロゲン格子変位が全域的に消失し、同時にNiのみならずPdイオンもスピン1/2を有する3価になる」を確かめるべく、以下の3点についてより深い研究を行った。1.Ni濃度の連続的な増加に対応した格子変位の消失過程。2.NiバンドとPdバンドの重心がずれた効果。3.平均場近似を超えた電子相関の効果。まず第1点については、この過程が電子格子相互作用によって敏感に変化することがわかった。すなわち、より弱い電子格子相互作用に対して格子変位はより急激に消失する。また適当な同相互作用の値を選ぶと実験で得られているラマン強度の組成比依存性を定性的に説明できることが分かった。次に第2点および第3点については、これらはどちらも現実の系において存在する効果であり、それまでの研究において無視されていたものあったが、本研究では、それらの効果をモデルに顕わに取り入れて扱った。その結果、まず前者においては、そのズレによって一方から他方への電荷移動が起きてそれに起因する格子変位が発生するが、それは格子の零点振動程度で微少であること、そして、第3点については、電子相関を取り入れても平均場近似と同じ結論が得られることを確かめた。

对Pd/Ni混晶卤桥金属配合物(Ni_xPd_<(1-x)>(chxn)_2Br_3)的基态进行了理论研究。特别是，作者之前使用平均场近似得到的预测，“当Ni浓度超过至少50%时，卤素晶格位移在整个区域消失，同时不仅Ni离子而且Pd离子也消失”为了确认“自旋1/2也变成三价”，我们对以下三点进行了更深入的研究。 1. Ni浓度持续增加引起的晶格位移消失过程。 2、Ni带和Pd带重心移动的影响。 3. 电子相关效应超出平均场近似的影响。关于第一点，我们发现这个过程受到电子晶格相互作用的敏感改变。也就是说，对于较弱的电子晶格相互作用，晶格位移消失得更快。还发现，通过为相同的相互作用选择适当的值，可以定性地解释拉曼强度对实验获得的组成比的依赖性。接下来，关于第二点和第三点，这些都是现实系统中存在的效应，在之前的研究中被忽略了，但在本研究中，我们对这些效应进行了建模并公开采用和处理。结果，在前一种情况下，未对准导致电荷从一侧转移到另一侧，导致晶格位移，但这与晶格的零点振动一样小，关于第三点，我们确认即使加入电子相关，也能得到与平均场近似相同的结论。