Electric field induced metallic state in oxide channel field-effect transistors

氧化物沟道场效应晶体管中的电场感应金属态

• 批准号: 20840029
• 负责人: NAKAMURA Hiroyuki
• 金额: $ 2.1万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (Start-up)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2009
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20840029/
• 关键词: 表面・界面物性; 誘電体物性; 強相関エレクトロニクス; 超伝導材料・素子; 酸化物界面; トランジスタ; 磁性; 電界効果; 反局在; 金属絶縁体転移; 酸化物; 酸化物エレクトロニクス; 弱局在; スピントロニクス; FET

Strong spin-orbit coupling effects on electrons induced at transition-metal oxide interface have been investigated by using field-effect transistor (FET) structures. Weak antilocalization of electrons was observed in KTaO_3 interface, whose detailed analysis led to the spin precession length of the order of 10 nm. This extremely short spin precession length could be understood in terms of strong spin-orbit coupling probably coming from Ta 5d conduction bands.

已经使用现场效应晶体管（FET）结构研究了对过渡金属氧化物界面诱导的电子的强旋转轨道耦合效应。在KTAO_3界面中观察到了电子的弱抗钙化，其详细分析导致10 nm阶的自旋进液长度。可以从TA 5D导带的强旋轨耦合来理解这一极短的自旋进液长度。

项目成果

KTaO3の電界効果

KTaO3 的场效应

• 发表时间: 2009
• 作者: 中村浩之;木村剛
• 通讯作者: 木村剛

KTaO3界面のゲート誘起ラシュバ効果

KTaO3 界面处的栅极诱导 Rashba 效应

• 发表时间: 2009
• 作者: 中村浩之;木村剛;中村浩之
• 通讯作者: 中村浩之

Electric field tuning of spin-orbit coupling in KTaO3 field-effect transistors

• DOI: 10.1103/physrevb.80.121308
• 发表时间: 2009-09-01
• 期刊: PHYSICAL REVIEW B
• 影响因子: 3.7
• 作者: Nakamura, H.;Kimura, T.
• 通讯作者: Kimura, T.

Electric field control spin precession inKTaO3 field-effect transistor

KTaO3 场效应晶体管中的电场控制自旋进动

• 发表时间: 2010
• 作者: H. Nakamura;T. Kimura
• 通讯作者: T. Kimura