Control of physical properties by means of photocarrier injection

通过光载流子注入控制物理性能

基本信息

  • 批准号:
    20540356
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2008 至 2010
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

We have aimed to control the physical properties of oxide films by using photocarrier injection (PCI) method. In VO_2/TiO_2(001) system, it is found that making a sharp interface is important to control the physical properties by PCI method, because the solid solution is formed at the interface between the film and the substrate. In SnO_2 system, a large change in resistance is observed under an ultraviolet light irradiation. We have developed the materials to which we would apply the PCI method. We have successfully obtained a high quality CrO_2 thin film by developing a preparation method and also found a room temperature ferromagnetic behavior in hollandite-type Ti oxide compounds.
我们的目标是通过使用光载流子注入(PCI)方法来控制氧化膜的物理性质。在VO_2/TiO_2(001)体系中,发现形成清晰的界面对于通过PCI方法控制物理性能很重要,因为固溶体是在薄膜和基底之间的界面处形成的。在SnO_2体系中,在紫外光照射下观察到电阻发生较大变化。我们已经开发了可应用 PCI 方法的材料。我们通过开发制备方法成功地获得了高质量的CrO_2薄膜,并且在镁锰矿型Ti氧化物化合物中发现了室温铁磁行为。

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Mn02多形の光電子分光
Mn02 多晶型物的光电子能谱
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T.Deguchi;J.Sato;村岡祐治
  • 通讯作者:
    村岡祐治
Cr8O21を原料に用いたCrO2薄膜の作製とその表面特性
以Cr8O21为原料制备CrO2薄膜及其表面性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    村岡祐治
  • 通讯作者:
    村岡祐治
閉鎖系化学気相成長法により作製したCrO2薄膜のバルクおよび表面特性
封闭式化学气相沉积法制备CrO2薄膜的体积和表面性质
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    村岡祐治;岩井啓介;吉田祥;平井正明;横谷尚睦;加藤有香子;室隆桂之;為則雄祐
  • 通讯作者:
    為則雄祐
Electronic structure of noncentrosymmetric superconductor Li2(PdxPtl-x)3B studied by photoemission spectroscopy
光电子能谱研究非中心对称超导体Li2(PdxPtl-x)3B的电子结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    青木勇二;他6名;丸山健二;T.Kawaguchi;R. Yoshida
  • 通讯作者:
    R. Yoshida
Preparation of the CrO2 thin films using a Cr8O21 precursor
使用 Cr8O21 前驱体制备 CrO2 薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Y.Muraoka;K.Iwai;S.Yoshida;T.Wakita;M.Hirai;T.Yokoya;Y.Kato;T.Kuro;Y.Tamenori
  • 通讯作者:
    Y.Tamenori
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