Development of low-background, high energy resolution wide-band SOI X-ray sensor.

开发低本底、高能量分辨率宽带SOI X射线传感器。

• 批准号: 20340043
• 负责人: TSURU Takeshi
• 金额: $ 11.81万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20340043/
• 关键词: X線γ線天文学; SOI型シリコンピクセルX線γ線検出器; X線天文学; 放射線・X線・粒子線; 半導体検出器; SOI; 放射線,X線,粒子線

We successfully developed an X-ray SOI pixel sensor with the size of 1mm x 1mm having a CDS and threshold circuit in each pixel. We demonstrated imaging-spectroscopy capability, output of hit information and achieved 110mu for the thickness of the depletion layer and high node sensitivity of 3. 65microV/e. We have prospect of reaching a readout noise of less than 10e.

我们成功地开发了一个X射线SOI像素传感器，其大小为1mm x 1mm，每个像素中具有CD和阈值电路。我们证明了成像 - 光谱能力，命中信息的输出，并实现了耗尽层厚度的110mU，高节点灵敏度为3.65microv/e。我们有前景的读数噪声少于10e。

项目成果

A New Supernova Remnant Candidate and an Associated Outflow in the Sagittarius C Region

一个新的超新星遗迹候选者和人马座 C 区的相关流出

• 发表时间: 2009
• 期刊: PASJ 61S
• 作者: Tsuru;T;G;Nobukawa;M;Nakajima;H;Matsumoto;H;Koyama;K;Yamauchi;S
• 通讯作者: S

Developments of SOI monolithic pixel detectors

• DOI: 10.1016/j.nima.2010.02.190
• 发表时间: 2010-11-01
• 期刊: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT
• 影响因子: 1.4
• 作者: Arai, Y.;Miyoshi, T.;Ohtomo, A.
• 通讯作者: Ohtomo, A.

Development of X-ray Imaging Spectroscopy Sensor with SOI CMOS Technology

采用SOI CMOS技术开发X射线成像光谱传感器

• 发表时间: 2011
• 期刊: IEEE Trans.on Nucl.Sci.
• 作者: S.G.Ryu;et al.
• 通讯作者: et al.

Performance of the Charge Injection Capability of Suzaku XIS

朱雀XIS的电荷注入能力表现

• 发表时间: 2008
• 期刊: PASJ
• 作者: H. Nakajima;T. G. Tsuru
• 通讯作者: T. G. Tsuru

(国際会議招待講演) The Next mission

（国际会议特邀报告）下一个使命

• 发表时间: 2008
• 作者: 松元亮治;小川崇之;町田真美;T. G. Tsuru
• 通讯作者: T. G. Tsuru