Investigating ways to improve the performance of semiconductor nuclear radiation detectors
研究提高半导体核辐射探测器性能的方法
基本信息
- 批准号：20310095
- 负责人：
- 金额：$ 9.9万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2008
- 资助国家：日本
- 起止时间：2008 至 2010
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Investigations were performed to improve the performance of semiconductor nuclear radiation detectors that possess energy discrimination capability. These heterojunction diode type detectors are based on epitaxially grown thick CdTe layers on Si substrates. Efforts were made to improve the CdTe crystal quality and decrease the detector dark current noise by optimizing crystal growth parameters and annealing the grown crystals. We found the best conditions for the crystal growth and the annealing, which help to deactivate the crystal defects, and reduce the detector dark current. As a result, improvement of the detector performance was confirmed.
进行了研究以提高具有能量辨别能力的半导体核辐射探测器的性能。这些异质结二极管型探测器基于硅基板上外延生长的厚 CdTe 层。通过优化晶体生长参数和对生长晶体进行退火，努力提高 CdTe 晶体质量并降低探测器暗电流噪声。我们找到了晶体生长和退火的最佳条件，这有助于消除晶体缺陷，并减少探测器暗电流。结果，证实了检测器性能的改进。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
MOVPE法による大而積CdTe x線・γ線画像検出器に関する研究(X)～アレイ型検出器の暗電流低減及び高性能化への検討(I)～
MOVPE法大体积CdTe X射线/γ射线图像探测器研究（X）-阵列式探测器降低暗电流、提高性能的研究（I）-
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：舘忠裕;他
- 通讯作者：他
MOVPE法による大面積CdTex線・γ線画像検出器に関する研究(VII)、Si基板上の厚膜CdTe層高品質化の検討
MOVPE法大面积CdTex射线/伽马射线图像探测器研究（七）、Si衬底上高质量厚CdTe层的研究
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：小川博久;他
- 通讯作者：他
Hetero-epitaxial Growth and Doping Properties of CdTe Layers by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
金属有机气相外延 CdTe 层的异质外延生长及其掺杂性能
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K.Yasuda;M.Niraula;Y.Agata
- 通讯作者：Y.Agata
MOVPE法による人而積CdTe x線・γ線画像検出器に関する研究(VII)
MOVPE法物理CdTe X射线/γ射线图像探测器研究（七）
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Sumita;N. Kakimura;and K. Makino;S. Kurahashi and T. Terano;松本和,也
- 通讯作者：松本和,也
MOVPE法による大面積CdTe x線・γ線画像検出器に関する研究(VII)、Si基板上の厚膜CdTe層高岨質化の検討
MOVPE法大面积CdTe X射线和γ射线图像探测器研究（七）、Si衬底上CdTe厚层增韧研究
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：小川博久;他
- 通讯作者：他
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- 批准号：
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- 资助金额：
$ 9.9万 - 项目类别：
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$ 9.9万 - 项目类别：
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