IMPROVEMENT OF THERMOELECTRIC PROPRTIES OF TiNiSn SYSTEM WITH HALF-HEUSLER TYPE STRUCTURE

半霍斯勒型结构TiNiSn体系热电性能的改善

基本信息

  • 批准号:
    19560705
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2009
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Figure of merit and power factor in half-Heusler type alloys of the TiNiSn system changed complicatedly with kind and quantity of dopants, annealing temperature and period, phase structures and lattice defects, and atom occupations on each sub-lattice. Figure of merit and power factor were improved by addition of Zr, Hf on Ti sub-lattice, Cu on Ni sub-lattice, and Sb on Sn sub-lattice, by exceeding a stoichiometric composition of Ti, and by carrying out heat-treatment for 50 h at 1000-1100 K.
TiNiSn系半Heusler型合金的品质因数和功率因数随掺杂剂的种类和数量、退火温度和时间、相结构和晶格缺陷以及各子晶格上的原子占据情况而发生复杂的变化。通过在Ti亚晶格上添加Zr、Hf、在Ni亚晶格上添加Cu、以及在Sn亚晶格上添加Sb、超过Ti的化学计量组成以及进行热处理,品质因数和功率因数得到改善1000-1100 K 下 50 小时。

项目成果

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专利数量(0)
Microstructures of Half-Heusler TiNiSn Ribbons
Half-Heusler TiNiSn 带的微观结构
Bloch波法によるSTEM像シミュレーションの積層試料への応用
使用布洛赫波法对堆叠样品进行 STEM 图像模拟的应用
Thermoelectric properties of melt-spun ribbons with TiNiSn-based half-Heusler phases
TiNiSn基半霍斯勒相熔纺带材的热电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Hasaka;T.Morimura;Y.Yatsuki;T.Suetsugu;H.Nakashima
  • 通讯作者:
    H.Nakashima
STEM Image Simulation by Bloch Wave Method in Layer-by-layer Representation
逐层表示中布洛赫波方法的 STEM 图像模拟
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Morimura;M. Hasak
  • 通讯作者:
    M. Hasak
PbTe系化合物半導体の性能指数
PbTe基化合物半导体的品质因数
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Morimura;M. Hasaka;S. Yoshida;H. Nakashima;Masayuki Hasaka;Morimura Takao;吉田 翔太郎;山崎 隆之;吉本 昌人
  • 通讯作者:
    吉本 昌人
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