Fabrication of highly ordered nanoporous silicons by direct nanoimprint and their application for Li ion battery anode

直接纳米压印制备高度有序的纳米多孔硅及其在锂离子电池负极中的应用

• 批准号: 19550180
• 负责人: NISHIO Kazuyuki
• 金额: $ 3万
• 依托单位: Tokyo Metropolitan University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19550180/
• 关键词: ポーラスシリコン; 電解エッチング; ナノインプリント; リチウムイオン二次電池; ナノ細孔配列; 電池

突起が規則配列したSiC製のモールドを用いたダイレクトナノインプリント, 或いは規則細孔配列を有する陽極酸化ポーラスアルミナをマスクとしたドライエッチングによりSi表面に規則的な窪み配列を形成し, これを電解エッチングすることにより高密度高規則配列のナノポーラスシリコンを形成した. これを電極としてリチウムイオンに基づく充放電特性を測定したところ, 細孔周期200nmに対して, 100nmでは充放電の繰り返しによる細孔径状の歪みが抑えられることがわかった.

通过直接纳米印刷形成常规的嵌入式阵列，该阵列使用定期排列的SIC模具直接纳米印刷，或使用阳极氧化的多孔氧化铝和常规的孔布置作为掩模，并通过电解蚀刻，电解蚀刻，高密度和高度有序的nanopolof硅硅的阵列。将其用作电极，发现由于重复的电荷和100 nm处的排放，由重复电荷引起的孔径直径失真被抑制。

项目成果

Alトンネルエッチングにおけるピット位置精密制御と機能化

铝隧道蚀刻中的精确凹坑位置控制和功能化

• 发表时间: 2008
• 作者: 益田秀樹;福島達郎;西尾和之
• 通讯作者: 西尾和之

アルミニウム電解コンデンサ用Al箔のトンネルピット配列の制御

铝电解电容器铝箔隧道凹坑排列控制

• 发表时间: 2007
• 作者: 福島達郎;武田彬史;西尾和之;益田秀樹
• 通讯作者: 益田秀樹

Fabrication of Ideally Ordered Anodic Porous Alumina with Large Area by Vacuum Deposition of Al onto Mold

模具真空沉积铝制备大面积理想有序阳极多孔氧化铝

• 发表时间: 2008
• 期刊: J. Vac. Sci. technol. B 26
• 作者: K.Nishio;T. Yanagishita;S. Hatakeyama;M. Maegawa;and H. Masuda
• 通讯作者: and H. Masuda

Fabrication of Site-Controlled Tunnel Pits by Electrochemical Etching of Al

铝电化学蚀刻法制作定点隧道坑

• 发表时间: 2008
• 作者: K. Nishio;T. Fukushima;and H. Masuda
• 通讯作者: and H. Masuda

Alトンネルエッチングの位置制御とピット成長挙動

铝隧道蚀刻的位置控制和凹坑生长行为

• 发表时间: 2009
• 作者: 福島達郎;西尾和之;益田秀樹
• 通讯作者: 益田秀樹