Ba-ferrite films for high density patterned medium prepared by nano-spot crystallization

纳米点晶化制备高密度图案化介质用Ba铁氧体薄膜

基本信息

  • 批准号:
    19360142
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 12.23万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2007
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2007 至 2008
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

磁気ディスクの高密度・大容量化はデジタル情報を保存するために必要不可欠な要求である。本研究では、次世代の高密度磁気記録媒体として有望なパターン媒体に関して、化学的に安定な酸化物磁性体(フェライト)を用いて自己組織化的パターン形成法に関する基礎実験を行なった。ここでは相分離型の下地層としてAl-Si薄膜およびナノスポット構造を有する金下地に関して、微小部分の結晶化、すなわち微小部分のみの磁性体化に関する検討を行なっている。
高密度和大容量磁盘是存储数字信息的必不可少的请求。在这项研究中,我们使用化学稳定的氧化物瓷器(铁氧体)对自组织的模式形成法进行了基本实验,以作为有前途的模式培养基,作为下一代高密度磁记录介质。在这里,显微镜的结晶,即仅显微镜部分的显微镜部分,用于使用Al-Si薄膜和纳米谱结构作为相分离的基础层检查金底。

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Properties of Sr ferrite thin films on AlSi underlayer
AlSi底层上的Sr铁氧体薄膜的性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Arkom Kaewrawang;Ali Ghasemi;Xiaoxi Liu;Akimitsu Morisako
  • 通讯作者:
    Akimitsu Morisako
Crystallographic and magnetic properties of SrM film on various underlavers and substrates
各种底层和基底上 SrM 薄膜的晶体学和磁性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Arkom Kaewrawang;Xiaoxi Liu;Akimitsu Morisako
  • 通讯作者:
    Akimitsu Morisako
Epitaxial Growth of SrM (001) Film on Au(111)
Au(111)上SrM(001)薄膜的外延生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Arkom Kaewrawang;Go Ishida;Xiaoxi Liu;Akimitsu Morisako
  • 通讯作者:
    Akimitsu Morisako
Properties of Sr ferrite thin films on AISi underlayer
AISi 底层上的 Sr 铁氧体薄膜的特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Arkom Kaewrawang;Ali Ghasemi;Xiaoxi Liu;Akimitsu Morisako
  • 通讯作者:
    Akimitsu Morisako
The effect of AlSi underlayers on Sr-ferrite sputtered films
AlSi底层对Sr铁氧体溅射薄膜的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Arkom Kaewrawang;Ali Ghasemi;Xiaoxi Liu;Akimitsu Morisako
  • 通讯作者:
    Akimitsu Morisako
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