Research on operation mechanism of organic transistors investigated by in situ and real time measurement of electronic states and morphology
原位实时测量电子态和形貌研究有机晶体管工作机理
基本信息
- 批准号:19360004
- 负责人:
- 金额:$ 12.15万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2007
- 资助国家:日本
- 起止时间:2007 至 2008
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
有機薄膜デバイスの特性向上のためには,実デバイス構造においてのトランジスタ特性と表面形態,表面電子状態の相関を解明することが重要である.われわれが開発した紫外光電子分光とトランジスタ特性を同時に測定することのできる装置を用いて有機トランジスタの電荷極性,電界効果移動度と,価電子状態を詳細に測定した結果,有機半導体のギャップ内における電極金属のフェルミ準位の位置により電荷極性および移動度が決まることがわかった.
为了改善有机薄膜器件的特性,重要的是阐明实际器件结构中晶体管特性、表面形貌和表面电子态之间的相关性。和使用能够执行的设备的有机晶体管的价态我知道它是固定的。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Step-bunched Bi-terminated Si(111) surfaces as a nanoscale orienation template for quasi single crystalline epitaxial growth of thin film phase pentacene
阶梯聚束双端接Si(111)表面作为薄膜相并五苯准单晶外延生长的纳米级取向模板
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:T. Shimada;M. Ohtomo;T. Suzuki;T. Hasegawa;K. Ueno;S. Ikeda;K. Saiki;M. Sasaki;K. Inaba
- 通讯作者:K. Inaba
Control of organic film growth by physical and chemical modification of substrate
通过基材的物理和化学改性控制有机薄膜的生长
- DOI:
- 发表时间:2009
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Hideo Isshiki;Takayuki Nakajima and Tadamasa Kimura;K.Saiki
- 通讯作者:K.Saiki
面内有機ヘテロ接合形成を目標とした基板表面への縞状変調構造の作製
在基板表面制造条纹调制结构,目的是形成面内有机异质结
- DOI:
- 发表时间:2007
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:川端ちひろ;小野木亮;斉木幸一朗;上野啓司
- 通讯作者:上野啓司
ペンタセンFETの周波数応答測定-電極SAMs処理の効果-
并五苯 FET 的频率响应测量 - 电极 SAM 处理的影响 -
- DOI:
- 发表时间:2008
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:金森由男;坪井宏政;斉木幸一朗
- 通讯作者:斉木幸一朗
Spontaneous aggregation of pentacene molecules and its influence on field effect mobility
- DOI:10.1063/1.2749721
- 发表时间:2007-06
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:Genki Yoshikawa;J. Sadowski;A. Al‐Mahboob;Y. Fujikawa;T. Sakurai;Y. Tsuruma;S. Ikeda;K. Saiki
- 通讯作者:Genki Yoshikawa;J. Sadowski;A. Al‐Mahboob;Y. Fujikawa;T. Sakurai;Y. Tsuruma;S. Ikeda;K. Saiki
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SAIKI Koichiro其他文献
<i>In-situ</i> Optical Microscopy of Crystal Growth of Graphene Using Thermal Radiation
利用热辐射进行石墨烯晶体生长的<i>原位</i>光学显微镜
- DOI:
10.1380/vss.62.629 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
TERASAWA Tomo-o;TAIRA Takanobu;OBATA Seiji;SAIKI Koichiro;YASUDA Satoshi;ASAOKA Hidehito - 通讯作者:
ASAOKA Hidehito
SAIKI Koichiro的其他文献
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Improvement of organic device performance via physical and chemical control of metal - organic semiconductor interfaces
通过金属-有机半导体界面的物理和化学控制提高有机器件性能
- 批准号:
21360005 - 财政年份:2009
- 资助金额:
$ 12.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fabrication of novel functional surfaces through ionic crystal / semiconductor heterostructurse and their properties
离子晶体/半导体异质结构新型功能表面的制备及其性能
- 批准号:
09450006 - 财政年份:1997
- 资助金额:
$ 12.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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I-VII化合物的异质外延及其表面性质研究
- 批准号:
07455002 - 财政年份:1995
- 资助金额:
$ 12.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似国自然基金
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- 批准号:30901376
- 批准年份:2009
- 资助金额:18.0 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
相似海外基金
高移動度半導体薄膜の低温プロセス技術に基づく超高速フレキシブルCMOSの開発
基于高迁移率半导体薄膜低温工艺技术的超高速柔性CMOS的开发
- 批准号:
20J01059 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 12.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Improvement of carrier mobility in polycrystalline organic semiconductor thin films
多晶有机半导体薄膜中载流子迁移率的改善
- 批准号:
19K15048 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 12.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Epitaxial growth of high-mobility organic semiconductor single crystal films using liquid crystal solvent
使用液晶溶剂外延生长高迁移率有机半导体单晶薄膜
- 批准号:
15H03982 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 12.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
フレキシブル基板上における歪みSiGe擬似単結晶の創製と高速薄膜デバイスへの応用
在柔性衬底上制备应变 SiGe 赝单晶及其在高速薄膜器件中的应用
- 批准号:
12J06549 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 12.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ガラス上における高移動度シリコンゲルマニウムの創製と薄膜デバイスの超高速化
在玻璃和超高速薄膜器件上创建高迁移率硅锗
- 批准号:
08J02015 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 12.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows