Development on New Functional Molecular Materials Based on π Donors with a Bent Structure

基于弯曲结构π供体的新型功能分子材料的开发

• 批准号: 19350073
• 负责人: SUGIMOTO Toyonari
• 金额: $ 11.9万
• 依托单位: Osaka Prefecture University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2007 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-19350073/
• 关键词: 膜; 集合体; 屈曲型ドナー分子; FeX^-_4(X=Cl、Br)イオン塩; バルク結晶; ナノワイヤ; 強磁性分子半導体・金属; 液晶化合物; ホール移動度; 電場動作; 機能性分子物質; 分子伝導体; リン脂質修飾シリコンウエハ電極; ナノワイヤー; 液晶性分子; キャリヤー相

我々のグループで合成した屈曲型ドナー分子を用いて、(1) 伝導性π電子と局在dスピンがより強く相互作用する、屈曲型ドナー分子のラジカルカチオンの磁性FeX4^-イオン塩の作成とそれを利用する分子スピントロニクスデバイスへの応用、(2) 屈曲型ドナー分子のラジカルカチオン塩の分子伝導体磁性伝導体のナノワイヤーの作成とそれを用いるナノエレクトロニクスやナノスピントロニクスデバイスへの応用、(3) ディスク型とバナナ型の中間の液晶性屈曲型ドナー分子の合成とその液晶相の電場応答ホール移動性質の評価について研究を実施した。

Using the bent donor molecules synthesized by our group, we conducted research on (1) the creation of magnetic FeX4^-ion salts of radical cations of bent donor molecules, in which conducting π electrons and localized d-spin interact more strongly, and their application to molecular spintronic devices using them, (2) the creation of molecular conductor magnetic conductor nanowires of radical cation salts of bent供体分子及其应用于使用它们到纳米电信和纳米复杂设备，以及（3）液晶弯曲的供体分子的合成中间介于磁盘型和香蕉型之间，以及评估其液体晶体相的电场反应性孔迁移。

项目成果

Crystals and Nanosticks of (EDO-TTFVO)_2・FeCl_4・(DCE)_<0.5> (X=C1, Br) Obtained by Electrochemical Oxidation of EDO-TTFVO with Native and Phospholipid-Modified Silicon Wafer Electrodes

使用天然和磷脂改性硅片电极电化学氧化 EDO-TTFVO 获得的 (EDO-TTFVO)_2·FeCl_4·(DCE)_<0.5> (X=C1, Br) 晶体和纳米棒

• 发表时间: 2008
• 作者: X. Shao;Y. Yamaji;T. Sugimoto
• 通讯作者: T. Sugimoto

Fe_2OCl^<2->_6 Salt Formed by Electrochemical Oxidation of Ethylenedioxy- tetrathiafulvalenoquinone- 1, 3-dithiolemethide in the Presence of FeCl_4^- Ion with a Silicon Wafer Electrode

Fe_2OCl^<2->_6 在 FeCl_4^- 离子存在下用硅片电极电化学氧化亚乙二氧基-四硫富戊烯醌-1, 3-二硫代甲基化物形成的盐

• 发表时间: 2008
• 期刊: Inorg. Chem. 47
• 作者: T. Koike;S. Yokota;H. Fujiwara;T. Sugimoto;S. Noguchi;D. de Caro;L. Valade
• 通讯作者: L. Valade

New Aspects of Magnetic Molecular Conductors

磁性分子导体的新方面

• 发表时间: 2008
• 作者: X. Shao;Y. Yamaji;T. Sugimoto;T. Sugimoto
• 通讯作者: T. Sugimoto

EDT-DSDTFVSDS)_2FeBr_4(GaBr_4)の電気抵抗および磁気抵抗に圧力効果

压力对EDT-DSDTFVSDS)_2FeBr_4(GaBr_4)电阻和磁阻的影响

• 发表时间: 2008
• 作者: 佐藤絵理子;北村倫明;松本章一;林寿樹ら
• 通讯作者: 林寿樹ら

Crystals and Nanosticks of(EDO-TTFVO)_2・FeCl_4・(DCE)_0.5(X=Cl, Br)Obtained by Electrochemical Oxidation of EDO-TTFVO with Native and Phospholipid-Modified Silicon Wafer Electrodes

(EDO-TTFVO)_2·FeCl_4·(DCE)_0.5(X=Cl, Br)晶体和纳米棒通过天然和磷脂修饰硅片电极电化学氧化EDO-TTFVO获得

• 发表时间: 2008
• 作者: X. Shao;Y. Yamaji;T. Sugimoto
• 通讯作者: T. Sugimoto