Development of II-VI widegap semiconductor optical devices on p-GaAs substrates using resonant tunnel superlattice.

使用谐振隧道超晶格在 p-GaAs 衬底上开发 II-VI 宽禁带半导体光学器件。

基本信息

批准号：
18760014
负责人：
TOMOKI Abe
金额：
$ 2.14万
依托单位：
Tottori University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
起止时间：
2006 至 2008
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-18760014/
关键词：
共鳴トンネル効果半導体超格子 ZnSe系ワイドギャップ半導体 MBE成長

项目摘要

本研究では,ZnSe系II-VI族ワイドギャップ半導体による新光デバイス(青-緑レーザ/発光ダイオード,青-紫外線光検出器など)がもつ技術課題を根本的に解決するために,成長界面に「共鳴トンネル超格子層」を導入した。本技術の確立により,p型GaAs基板結晶からp型ZnSe成長層への正孔注入障壁低減することに成功し,従来成し得なかったデバイス構造を実現し,光検出器,発光ダイオード等のZnSe系青一紫外線領域光デバイスの効率を大幅に向上した。

本研究为了从根本上解决利用ZnSe基II-VI族宽禁带半导体新型光学器件（蓝绿激光器/发光二极管、蓝紫外光电探测器等）的技术问题，我们的目标是引入了“共振隧道超晶格层”。通过建立这项技术，我们成功地降低了从p型GaAs衬底晶体到p型ZnSe生长层的空穴注入势垒，实现了传统技术无法实现的器件结构，如光电探测器、发光二极管、 ZnSe基blue-1紫外光器件的效率得到显着提高。

项目成果

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专著数量（0）

科研奖励数量（0）

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专利数量（0）

"TeドープZnSe/ZnMgSSe DH構造における電流注入レーザー動作検証"

“Te 掺杂 ZnSe/ZnMgSSe DH 结构中电流注入激光器运行的验证”

DOI：
发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
0
作者：
T.Nishiguchi;N.Yamane;H. Kozeni;T.Yoshida;T.Abe;H. Kasada;K.Ando;山根典嗣,阿部友紀,他;江畑達郎,阿部友紀,他
通讯作者：
江畑達郎,阿部友紀,他

"ZnSSe:Te/ZnMgSSe DH構造中のTe束縛励起子によるレーザー動作検証"

“使用 ZnSSe:Te/ZnMgSSe DH 结构中的 Te 结合激子验证激光操作”

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
稲垣雄介;野村まり;延一樹;谷達矢;三木耕平;堅田大介;大下雄太;田中健;阿部友紀;笠田洋文;安東孝止;山崎祐起,阿部友紀,他;岡本啓史,阿部友紀,他;堅田大介,阿部友紀,他;野村まり,阿部友紀,他;大下雄太,阿部友紀,他;森川弦太郎,阿部友紀,他
通讯作者：
森川弦太郎,阿部友紀,他

"Demonstration of Practical Blue Waveguide Stark-Effect Modulators of ZnSe/ZnMgSSe Asymmetric Coupled Quantum Wells"

“ZnSe/ZnMgSSe 非对称耦合量子阱的实用蓝色波导斯塔克效应调制器演示”

DOI：
发表时间：
2008
期刊：
J. Korean Phys. Society 53
影响因子：
0
作者：
T. Abe;N. Yamane;T. Nishiguchi;H. Kozeni;T. Yoshida;M. Adachi;H. Kasada and K. Ando
通讯作者：
H. Kasada and K. Ando

"ZnSSe系PIN型光検出素子の紫外高感度化の検討"

《提高ZnSSe基PIN型光电探测器紫外灵敏度的研究》